Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации

 

Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области. Приготавливают водный раствор иодата лития. Берут затравку Z-среза прямоугольной формы, ограненной по периметру гранями и с соотношением сторон по плоскости и не менее . Кристаллизацию проводят на затравку изотермическим испарением раствора. При получении кристаллов в виде пластин соотношение сторон выбирают более 1,5. Достигают уменьшения объема фантомной области до 5 раз. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов и может быть использовано в области лазерной физики, акустоэлектроники и акустооптики для получения пьезоэлектрического и нелинейно-оптического материала. Целью изобретения является повышение выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области. П р и м е р 1. Монокристалл иодата лития гексагональной модификации выращивают из водного раствора LiIO₃ при постоянной температуре 40^оС испарением раствора при контролируемом отборе конденсата в кислой среде рН 2. Воду в термостатах нагревают с помощью кварцевого нагревателя. Рабочую температуру задают на контактном термометре типа ТПК, помещенном в термостат. Поддерживают температуру постоянной с точностью до градуса. Мешалки, помещенные в рабочий объем и термостат, приводят в движение двумя электродвигателями. Постоянное пересыщение раствора поддерживают нормированным отбором конденсата из сборника под крышкой кристаллизатора. Для приготовления растворов используют тридистиллированную воду, в которой растворяют сырье LiIO₃ марки "ОСЧ". При этом получают раствор с рН 2. Затравки приклеивают к кристаллодержателю. Скорость роста поддерживают 0,5 мм/с. Перемешивание раствора осуществляют двумя мешалками, которые вращают в противоположных направлениях со скоростью 60 об/мин. Для предотвращения растрескивания температуру понижают со скоростью не более 0,5^о в 1 ч. В растворе при комнатной температуре кристаллы выдерживают несколько часов и только после этого извлекают из кристаллизатора. В качестве затравки берут пластину Z-среза толщиной 2 мм , прямоугольной формы, ограненной по периметру гранями {100} и {110}. Соотношение сторон затравки по граням {100} и {110} выдерживают ровным 1/ . Выращивают кристалл с соотношением высоты фантомной области к высоте кристалла, равным 23%, и соотношением объема фантомной области к объему кристалла, равным 8,5%. У кристалла, выращенного в таких же условиях по способу-прототипу, эти величины равны соответственно 26% и 11%. П р и м е р 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют соотношение сторон затравки. Соотношение размеров выращенного кристалла и его фантомной области приведены в таблице. Из примеров видно, что способ по изобретению позволяет уменьшить объем фантомной области до 5 раз.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/. . 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 11-2002

Извещение опубликовано: 20.04.2002        

---