Способ травления кристаллов танталата лития

 

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии. Способ позволяет удешевить и сократить время процесса. Монокристаллы обрабатывают расплавом едкого кали при 360±0,2°С в течение 5-7 с. Температура травления снижена до 360°С, т.е. травление проводится сразу после образования расплава. Способ дает возможность получать четкие и высококонтрастные изображения структуры кристаллов. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11),51)5 С 30 В 33/00, 29/30

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (2 1) 4457217/23-26 (22) 07 ° 07.88 (46) 07.08.90. Бюл. Ф 29 (72) Н.Н.Большакова, И.И.Сорокина, В.А.Козлов, В.Н.Масленников и О.К.Елкин (53) 621.315.592(088.8) (56) Nassau К., Levinstein Н.I., Loiacono GM. Ferroelectrics Litium

Niobate I Chowth, domein structure,—

dislocations and etching. — J. Phys.

Chem. Solids 1966, v. 27, N 6/7, р. 985. (54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ

ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ

Изобретение относится к выращиванию кристаллов и последующей их обработке методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структур кристаллов методами оптической и электронной микроскопии.

Целью изобретения является удешевления процесса и сокращение его времени.

На фиг. 1.представлена структура полидоменного образца выявленная с помощью известного и предлагаемого способов; на фиг.2 — поверхности кристалла танталата лития, подвергнутого травлению предлагаемым способом в течение 5; 7 и 10 с; на фиг.3 структура монодоменного и полидоменго образцов.

Гранулированный едкий кали в количестве 7 г засыпают в керамический

2 (57) Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методами оптической и электронной микроскопии.

Способ позволяет удешевить и сокра— тить время процесса. Монокристаллы обрабатывают расплавом едкого кали при 360+0,2 С в течение 5-7 с.

Температура травления снижена до

360 С, т.е. травление проводится сразу после образования расплава.

Способ дает возможность получить четкие и высококонтрастные изображения структуры кристаллов. 3 ил. тигель и нагревают до 360 С. Данная температура контролируется с погреш— о ностью 0,2 С. Затем в расплав опускают предварительно подогретые над электроплиткой образцы. После травления образцы помещают в кипящую дистиллированную воду на 1 мин и охлаж— дают вместе с водой до комнатной температуры.

Пример 1. Травление полидоменных образцов известным (фиг. 1а) и предлагаемым (фиг.1б) способами.

Сравнение свидетельствует, что структура поверхности кристалла выявлена достаточно выявлена достаточно четко и контрастно.

Пример 2. Сравнение снимков поверхности образцов показывает, что контрастные картины травления можно получить при выдержке образ1583478 цов в течение 5 с (фиг. 2а), 7 с (фиг. 2б) и 10 с (фиг. 2в) в расплаве дкого кали.

Пример 3. Полидоменный (фиг.Зб) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно йодвергают травлению в расплаве едкого кали при 360 С в течение 7 с. 10

На полидоменных образцах (фиг.Зб) а грани (0001) отчетливо видны нтипараллельные домены и четкие раницы доменов, а на монодоменных бразцах (фиг.За) на грани (0001) — 15

ысококонтрастные ямки травления.

Использование предлагаемого спооба по сравнению с известными позоляет сократить время травления сэкономить энергию. Это обеспечиается тем, что согласно предлагамому способу травление приводят ри более низкой температуре за боее короткое время. Данная техноло— гия травления является удешевленной и с большими возможностями ее использования, в частности, для контроля монодоменности кристаллов при выращивании.

Травление кристаллов танталата лития в расплаве едкого кали по предлагаемому способу осуществляется при 360 С в течение 5-7 с, по известному способу — нри 400 С в течение 15-60 с, что позволяет существенно (60Х) повысить производительность труда, Формула изобретения

Способ травления кристаллов танталата лития путем обработки их расплавом едкого кали, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью удешевления процесса и сокращения его времени, обработку ведут при температуре

360 +0,2 С в течение 5-7с.

1583478 (ф*

Ф 4 . ъ

, °

ФЬ @Ф

1583478 йЖ .

Составитель E.Ïèñàpåâà

Техред Л. Серд окова Корректор А.Осауленко

Редактор Н.Porулич

Тираж 347

Заказ 2233

Подпис но е

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб,, д, 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ травления кристаллов танталата лития Способ травления кристаллов танталата лития Способ травления кристаллов танталата лития Способ травления кристаллов танталата лития 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия

Изобретение относится к способам обработки активных элементов лазерной и нелинейной оптики и может быть использовано при изготовлении нелинейных элементов на основе монокристалла иодата лития -LilO3 например параметрических преобразователей длины волны лазерного излучения

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов

Изобретение относится к обработке твердых и хрупких материалов, в частности к устройствам для обработки монокристаллов, которые применяются в химической промышленности при порезке кристаллов , и позволяет улучшить качество поверхности резания кристаллов
Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца

Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского
Наверх