Способ отработки биполярных транзисторов

 

Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий подачу на биполярный транзистор тока эмиттера и напряжения база-коллектор, определение информативных параметров биполярных транзисторов и сравнение их с эталоном, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, напряжение база-коллектор устанавливают равным его предельно допустимому значению, изменяют ток в диапазоне его допустимых значений, устанавливают его значение, при котором статический дифференциальный коэффициент прямой передачи тока при котором замыкании на выходе при включении биполярного транзистора по схеме с общей базой достигает максимального значения, измеряют при этой величине тока эмиттера значение статического дифференциального коэффициента прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе при включении биполярного транзистора по схеме с общей базой и значение его выходной проводимости при холостом токе на входе при включении по схеме с общей базой, устанавливают величину тока эмиттера равной нулю, измеряют значение выходной проводимости при холостом токе на входе при включении биполярного транзистора по схеме с общей базой и определяют информативный параметр биполярного транзистора по формуле где П - информационный параметр биполярного транзистора; h_21Б - статический дифференциальный коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на входе при включении по схеме с общей базой; I_Э - ток эмиттера, при котором величина h_21Б достигает максимума; h_22Б - выходная проводимость при холостом токе на входе при включении по схеме с общей базой, измерения при эмиттерном токе I_Эi; h^o_22Б - выходная проводимость при холостом токе на входе при включении по схеме с общей базой, измеренная при эмиттерном токе I_Э = 0.