Устройство для вакуумной обработки кинескопов

 

Изобретение относится к электровакуумной промышленности. Цель изобретения - повышение качества очистки кинескопов и повышение производительности. Устройство содержит откачной пост 1 конвейера, катушку 2 индуктивности для обезгаживания электронной оптики кинескопа 3 индукционным нагревом от ВЧ-генератора 14, совмещенным с тепловым обезгаживанием в туннельной печи 5. горизонтальную шину 6 откачного поста 1. к которой подключен скользящим контактом 8.дополнительный ВЧ-генератор7, панель 9 электроотпая, в кото1 рой часть клемм для подключения выводов кинескопа закорочена перемычками 10, соединенными проводником 11 со штекером 12 для подключения к разъемам шины 13. 2 ил. со

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si>s Н 01 J 9/40

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4799653/21 (22) 04,01.90 (46) 23,03.92. Бюл. Гч . 11 (71) Новосибирский электротехнический институт (72) Л. И. Лисицына, А. А. Катаев, Л. П. Ласточкина, Л. А. Кузнецова, Л. С.Москвина, В.

И. Чушикина и Т. Б. Макарова (53) 621.38,032(088.8) (56) Технология и оборудование производст ва электровакуумных приборов, / Под ред.

Ю. А. Хруничева, — М;; Высшая школа, 1979;

Комплексная автоматизация сборочно го производства цветных электронно-лучввых трубок, / Под ред. С. И. Бродского. — М.:

Радио и связь, 1984, с. 88

„„Я „„1721660 А1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ КИНЕСКОПОВ (57) Изобретение относится к электровакуумной промышленности. Цель изобретения — повышение качества очистки кинескопов и повышение производительности. Устройство содержит откачной пост 1 конвейера, катушку 2 индуктивности для обезгаживания электронной оптики кинескопа 3 индукционным нагревом от ВЧ-генератора 14, совмещенным с тепловым обезгаживанием в туннельной печи 5, горизонтальную шину

6 откачного поста 1. к которой подключен скользящим контактом 8, дополнительный

ВЧ-генератор 7, панель 9 электроотпая, в кото - рой часть клемм для подключения выводов кинескопа закорочена перемычками 10, соединенными проводником 11 со штекером 12 для подключения к разъемам шины 13. 2 ил.

1721660

15

25

35

45

Изобретение относится к электровакуумной промышленности, а именно к оборудованию для производства кинескопов.

Известно устройство вакуумной обработки кинескопов, содержащее конвейерную многопозиционную машину с непрерывным перемещением изделия, печь для прогрева оболочек, ВЧ-генератора с частотой колебаний 400 кГц для обезгаживания арматуры.

Известно устройство для вакуумной обработки кинескопов, содержащее горизонтально замкнутую конвейерную линию, оснащенную откачными постами, установленными с возможностью перемещения по направляющим, один из участков которой смонтирован в туннельной печи, ВЧ-генераторы, размещенные вдоль туннельной печи, смонтированную на каждом из постов панель электроотпая с выполненными в ней клеммами для подключения выводов кинескопа и размещенную соосно панели катушку индуктивности. Однако известное устройство имеет существенные недостатки: относительно невысокое качество очистки кинескопа (остаются солевые загрязнения, посторонние частицы, заусенцы) и сравнительно невысокая производительность, так как при обезгаживании вследствие большого газовыделения арматуры и колбы. кинескопа время обработки удлиняется, так как скорость удаления из прибора газов и паров должна превышать скорость газоотделения, а обезгаживание происходит при давлении 0,13-0,013 Па,при этом скорость откачки значительно меньше.

Целью изобретения является улучшение качества очистки кинескопов и повышение производительности, В устройстве для вакуумной обработки . кинескопов, содержащем горизонтально замкнутую конвейерную линию, оснащенную откачными постами,.установленными с воэможностью перемещения по направляющим; один из участков которой смонтирован в туннельной печи, ВЧ-генераторы,, размещенные вдоль туннельной печи, смонтированную на каждой из постов панель электроотпая с выполненными в ней клеммами для подключения выводов кинескопа и размещенную соосно панели катушку индуктивности, на каждом из постов смонтирована горизонтальная шина, длина которой выбрана из выражения:

20. Ч 60 конв где Ч окъ — скорость движения конвейера, м/с, а на входе туннельной печи установлен до. полнигельный ВЧ-генератор, соединенный скол ьзя щим контактом с горизонтал ь ной шиной, при этом часть клемм панели электрически соединена с горизонтальной шиной.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство для вакуумной обработки кинескопа; на фиг. 2 — зависимость качества очистки от времени воздействия плазмы.

Устройство содержит, например, один из откачных постов конвейера, катушку 2 индуктивности для обезгаживания электронной оптики кинескопа 3 индукционным нагревом от ВЧ-генератора 4, совмещенным с тепловым обезгаживанием кинескопа в туннельной печи 5, горизонтальную шину

6 откачного поста 1, к которой подключен дополнительный ВЧ-генератор 7 скользящим контактом 8, панель 9 электроотпая, в которой часть клемм для подключения выводов кинескопа закорочена перемычками 10, соединенными проводом 11 со штекером 12 для подключения к разьемам шины 13.

Устройство работает следующим образом.

Откачной пост 1 горизонтально замкнутой конвейерной линии перемещается к туннельной печи 5, на входе которой установлен дополнительный ВЧ-генератор

7, который через скользящий контакт 8 подключается к горизонтальной контактной шине 6 откачного поста 1. За это время внутри кинескопа создается давление 1,3-26,6 Па.

Дополнительный ВЧ-генератор 7 подключен одной клеммой к земле, а другой через

ВЧ-кабель, подсоединенный к скользящему контакту 8, подключен к горизонтальной шине 6 откачного поста 1. Через панель 9 электроотпая, подсоединенную проводом

11 со штекером 12 к разъему шины 13, на часть электродов кинескопа подается ВЧнапряжение, причем электроды кинескопа, на которые подается ВЧ-напряжение, закорочены перемычками 10, При подаче ВЧ-напряжения в горловине кинескопа формируется ВЧ-разряд емкостного типа, при этом электроды кинескопа, на которые подается ВЧ-напряжение, образуют внутреннюю обкладку цилиндрического конденсатора, а ВЧ-катушка — внешнюю с частотой возбуждающего сигнала(13,56-30) +1 МГц, так как эффективная обработка диэлектриков начинается с частоты f = 13,56 МГц.

Применение возбуждающего сигнала с частотой выше 30 МГц усложняет систему подведения питания. ВЧ-разряд поддерживают в течение времени 20с t 5 60 с.

При этом длина шины откачной позиции рассчитывается с целью обеспечения опти1721660 мального времени очистки электронной оптики и колбы кинескопа.

Зависимость качества очистки от времени воздействия плазмы приведена на фиг.

2. Из этих данных видно, что величина за- 5 грязнений после очистки в ВЧ-плазме в течение времени 20 с падает почти на порядок. Увеличение времени обработки в

ВЧ-плазме более 60 с приводит к излишнему стравливанию обрабатываемых поверх- 10 ностей и нагреву электронной оптики,.что может привести к окислению арматуры.

После этого производят обезгаживание стекла колбы в туннельной печи при одновременной откачке, обезгаживание элект- 15 ронной оптики током высокой частоты от

ВЧ-генератора 5 и в туннельной печи по известной технологии.

Очистка оптики и колбы кинескопа в

ВЧ-плазме происходит за счет удаления за- 20 грязнений под действием химических реакций между активными частицами газа из остаточной атмосферы и поверхностными атомами с образованием летучих соединений, откачивающихся в процессе обработ- 25 ки. Кроме того, имеет место также и физическое распыление загрязнений органического. характера ионами инертного газа, так как энергия связи между молекулами основных органических соединений не пре- 30 вышает 5 эВ, Кроме загрязнений различного характера на внутренней поверхности горловины и электронной оптике кинескопа могут находиться посторонние частицы (аквадага, лю- 35 минофора, алюминия и др.). Некоторые атомы этих частиц вступают в химическую реакцию с активными частицами газа из остаточной атмосферы, образуют летучие соединения и откачиваются средствами 40 откачки. Частицы, не образующие летучих соединений, под действием плазмы удаляются физическим распылением (удаление материала с поверхности в результате взаимодействия с ним энергетических ионов). 45

Таким образом, предлагаемое устройство для вакуумной обработки кинескопов позволяет улучшить качество очистки кинескопов за счет удаления солевых загрязнений, посторонних частиц, оплавле- 50 ния заусенцев. Также устройство позволяет повысить производительность линии вакуумной обработки кинескопов, так как при низком давлении (5-20 Па) более высокая производительность форвакуумного насоса обеспечивает откачку выделяющихся газов быстрее, чем откачка такого же количества газа паромасляным1. диффузионным насосом при соответствующих давлениях.

Весь объем газа, выделяющийся при обработке ВЧ-плазмой при низком вакууме, откачивается форвакуумным насосом за 2 мин. При обезгаживании в туннельной печи при высоком вакууме откачка такого же объема газа требует значительно больше времени (порядка 15 мин), так как Скорость откачки насоса при этом давлении значительно ниже. Следовательно, производительность линии кинескопов можно увеличить на 10-15 .

Формула изобретения

Устройство для вакуумной обработки кинескопов, содержащее горизонтально замкнутую конвейерную линию, оснащенную откачными постами, установленными с возможностью перемещения по направляющим, один из участков которой смонтирован в туннельной печи, высокочастотные генераторы, размещенные вдоль туннельной печи, смонтированную на каждом из постов панель электроотпая с выполненными в ней клеммами для подключения выводов кинескопа и размещенную соосно панели катушку индуктивности, о т л и ч а ющ е е с я тем, что. с целью улучшения качества очистки кинескопа и.повышения производительности, на каждом из постов смонтирована горизонтальная шина, длина

L которой выбрана из выражения

20 ((60, коне где V« 8 — скорость движения конвейера, м/с, а на выходе туннельной печи установлен дополнительный высокочастотный генератор, соединенный скользящим контактом с горизонтальной шиной, при этом часть клемм панели электрически соединена с горизонтальной шиной.

1721660

10 Ю 50 И 50

Редактор И.Дербак

Заказ 956 Тираж Подписное, ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул.Гагарина, 101

1 ф

Р,д

Рб

04

ОР

Составитель Л.Лисицын

Техред M. Моргентал Корректор 9.ципле

Устройство для вакуумной обработки кинескопов Устройство для вакуумной обработки кинескопов Устройство для вакуумной обработки кинескопов Устройство для вакуумной обработки кинескопов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электровакуумной технике и предназначено для использования в откачных установках для отпая стеклянных штенгелей электровакуумных приборов

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано в технологии производства газоразрядных ламп

Группа изобретений относится к способу изготовления прозрачного плазменного тигля (92) для микроволнового источника света. Плазменный тигель (92) имеет сквозное отверстие (93) и две трубки (981, 982), герметизированные встык к торцевым поверхностям (901, 902) тигля. Одну (981) из трубок перед наполнением тигля закрывают. Трубку запаивают и обрабатывают на токарном станке по стеклу, формируя ее имеющей плоский конец (983). После вакуумирования, дозирования и заполнения газом, другую трубку (902) запаивают аналогичным образом. Технический результат - упрощение процесса герметизации наполненного плазменного тигля. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для крепления деталей внутри вакуумного корпуса, например, для крепления полупроводниковых структур фотокатодов на подложке к входному окну прибора. Технический результат - уменьшение дефектов, возникающих при сочленении, а так же расширение спектра используемых материалов. Способ крепления деталей внутри вакуумных приборов заключается в том, что на тыльную сторону со стороны подложки первой детали, представляющей собой полупроводниковую структуру, по периметру припоем индия или его сплавами наносят паттерн в виде отдельных зон, не образующий замкнутую кривую, при необходимости между отдельными зонами паттерна измеряют вольтамперную характеристику, затем зоны соединяют индием или его сплавами, чтобы увеличить площадь сочленения, оставляя как минимум один разрыв для последующей откачки газа в зазоре между сочленяемыми деталями, затем помещают структуру на предварительно облуженную в соответствующих местах вторую деталь, после чего детали сочленяют, сдавливая и нагревая в вакууме в горизонтальном положении до температуры 200-250°C, при этом используют оправки: центрователь и давитель. 3 ил.
Наверх