Способ получения образца кремния с косым шлифом

 

Использование: технология препарирования образцов в микроэлектронике. Сущность изобретения: защищают одну плоскость образца химически инертным материалом . Размещают образец в электролитической ванне параллельно линейному катоду. Проводят анодное травление образца . Время травления определяют из соотношения требуемого угла косого шлифа и размеров образца. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 6 01 N 1/32

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ пО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

БИБЛЦДТЕН 1

W arctg —, Kt

R+L

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4899493/25 (22) 08.01.91 (46) 15.08.92, ьюл. ¹ 30 (71) Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.

Севченко (72) В.С. Соловьев и И.B. Тикавый (56) А.И. Курносов и др, Технология производства полупроводниковых приборов. М.:

Высшая школа, 1974, с.170.

Авторское свидетельство СССР

¹ 994959, кл. G 01 N 1/32, 1981.

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технологии препарирования образцов, и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых материалов. . Известен способ получения образца с косым шлифом, включающий механическую шлифовку препарируемого образца подмалым углом. К недостаткам данного способа относится значительная шероховатость поверхности приготовляемого шлифа, Наиболее близким к предлагаемому является способ получения образца с косым шлифом, включающий постепенное погружение его в травящий раствор, Недостатком этого способа является не- достаточная линейность поверхности шлифа, связанная с неодинаковой смачиваемостью различных участков образца и колебаниями скорости перемещения границы травителя по поверхности материала.,,5U, 1755103 А1 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦА

КРЕМНИЯ С КОСЫМ ШЛИФОМ (57) Использование: технология препарирования образцов в микроэлектронике. Сущность изобретения: защищают одну

Ilh0cK0cTb образца химически инертным материалом. Размещают образец в электролитической ванне параллельно линейному катоду. Проводят анодное травление образца. Время травления определяют из соотношения требуемого угла косого шлифа и размеров образца. 1 ил.

Целью изобретения является улучше ние качества поверхности и равномерности профиля косого шлифа.

Указанная цель достигается тем, что в способе получения образца кремния с косым шлифом, включающем воздействие на его поверхность травящим раствором, образец помещают в электролитическую ванну, снабженную линейным катодом, располага- О ют катод в плоскости поверхности образца параллельно одной из его граней на некото- С) ром расстоянии, после чего удаляют матери- (Д ал образца методом электрохимического анодного растворения, при этом угол Р/ получаемого косого шлифа определяют из соотношения где t — время травления;

К вЂ” электрохимический эквивалент;

1755103

R — расстояние от края образца до катода;

R+L

К tgW

Составитель А.Щитов

Тех ред M.Моргентал

Корректор П,Гереши

Редакт< р Ю.Середа

Заказ 2885 Тираж Подписное

8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

L — длина образца;

W — угол наклона косого шлифа, На чертеже представлено поперечное сечение устройства, реализующего предлагаемый способ.

Устройство содержит электролитическую ванну1 с линейным катодом 2 идержатель образца 3, снабженный тыловым контактом 4 и уплотнителем 5.

Устройство работает следующим образом.

Держатель с образцом 6 помещают в ванну, заполненную электролитом 7 для анодного травления, после чего линейный катод ориентируют таким образом, чтобы он лежал в плоскости поверхности образца параллельно одной из его граней на некотором расстоянии, Затем устройство подключают к источнику питания и травят поверхность образца до получения шлифа с необходимой геометрией.

В пренебрежении относительно малыми изменениями геометрии системы при травлении, не выходящими за пределы

0,1 j, угол получаемого шлифе связан с параметрами системы соотношейием, Эксперименты показали, что предлагаемый способ позволяет получать образцы кремния с косым шлифом, имеющие поверхность высокого качества, при этом отклоне5 ние формы шлифа от линейной не превышает 0,5, Формула изобретения

Способ получения образца кремния с косым шлифом, включающий травление по10 верхности образца, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества повер хности и равномерности профиля косого шлифа, защищают одну плоскость образца химически стойким материалом, помещают

15 образец в электрическую ванну с линейным катодом так, чтобы открытая плоскость образца была параллельна катоду, проводят анодное травление образца, причем время травления t определяют из соотношения:

20 где R — расстояние от края образца до като25 да;

L — длина образца;

К вЂ” электрохимический эквивалент;

W — угол наклона косого шлифа.