Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра

 

Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, диэлектрическое покрытие на подложке формируют толщиной, удовлетворяющей соотношению:

0,1≤h/H≤0,8,

где h - толщина проводящего слоя, H - толщина диэлектрического покрытия, а окна в нем вскрывают в виде прямоугольника, площадь и меньшая сторона которого удовлетворяют соотношению:

4r²≤S≤100 мкм²,

2r≤а,

где S - площадь прямоугольника, r - радиус иглы профилометра, применяемого для контроля высоты ступенек рельефа, а - меньшая сторона прямоугольника.