Способ измерения напряжения микропробоя мдп-структур

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур, заключающийся в том, что МДП-структуру заряжают путем пропускания прямоугольного импульса тока и одновременно измеряют временную зависимость напряжения на МДП-структуре, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерения и упрощения способа, одновременно с МДП-структурой заряжают емкость сравнения произвольной величины, определяют отношение емкости МДП-структуры к емкости сравнения n = C_мдп/C_ср, при этом заряжают МДП-структуру импульсом тока с амплитудой I_мдп = k I_пор, где I_пор - пороговая величина тока; k - коэффициент пропорциональности (k > 1), а емкость сравнения - импульсом тока с амплитудой I_ср = m I_мдп, где m - коэффициент пропорциональности, и определяют напряжение микропробоя как напряжение на МДП-структуре, при котором отношение производной по времени напряжения на МДП-структуре к производной по времени напряжения на емкости сравнения равно величине (k - 1)/(n m k).

Дата прекращения действия патента: 20.03.2002

Номер и год публикации бюллетеня: 20-2003

Код раздела: MM4A

Извещение опубликовано: 20.07.2003

Изобретение относится к измерению параметров полупроводников, а точнее измерению электропроводности полупроводников

Способ выявления слоев эпитаксиальных структур кремния // 1827694

Способ определения температуры изменения типа проводимости на границе области гомогенности соединений а @ в @ // 1827693

Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра // 1824014

Способ контроля качества полупроводниковых структур // 1823036

Способ определения физико-химических характеристик полупроводника // 1823035

Способ определения характеристик полупроводника // 1823034

Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике // 1823033

Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике // 1823032

Способ разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине // 1820425

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349