Устройство для автоматического измерения сопротивления потерь туннельных диодов

 

О П И С А Н И Е 288!55

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВАРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со1оа Соеетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства № ——

Заявлено 01.1Х.1969 (М 1358840/26-25) с ирисоединенисхт заявк 1 ¹â€”

Приоритет—

Опубликовано ОЗ.Х11.1970. Бюллетень Л 36

Дата опубликования описания 10.11.1971

Кл. 21ф 11102

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министроп

СССР

ЧПК G Olr 31 26

УДК, 621.382.333.34 (088.8) Авторы изобретения

В. В. Терпигорьеь и В. 1. Федорков....:1 ...Х„». К.ь

-- ..".-. -Р1;Д

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОМАТИ Ч ЕСКОГО И31ЧЕРЕН ИЯ

СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОТЕРЬ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

Изобретение относится к технике измерения парамет1ров полупроводниковых приборов.

Известно устройство для измерения сопротивления потерь туннельных диодов (л, ), содбржащее и сточник постоянного тока смещения, генератор синусоидального тока и усилитель переменного тока.

Известное устройство позволяет измерять сопротивление потерь при небольших токах смещения и мало производительно из-за трудоемкости вычислительных операций при ооработке результатов измерении.

Цель изобретения — повышение точности и автоматизация измерения. Она достигается подключением к измеряемому диоду усилителя с управляемым коэффициентом усиления и управляемого источника тока смещения, содержащих управляемые, синхронизатором ключи, с помощью которых периодически изменяются ток смещения и коэффициент усиления усилителя. К выходу последнего подключены детектор-фильтр высокой частоты и синхронный детектор, преобразующие напряжение высокой частоты в постоянное напряжение, пропорциональное сопротивлению потерь туннельного диода (г, ).

На чертеже представлена схема описываемсн-о устройства.

Иа измеряемый туннельный диод 1 одновременно подают синусоидальньш ток от генератора синусоидального тока 2 и постоянный ток ог источника тока смещения 8. К диоду подключен усилитель 4 с переменным коэффициентом усиления. Коэффициент усиления ус11лителя 4 и ток источника тока смещения Л коммутируются элекгронными ключами б и 6, управляемыми синхронизатором 7. К вы. оду усилителя подключены последовательно соеИ диненные детектор-фильтр высокой частоты 8,. синхронный детектор 9 ll измерительный Hpll бор 10.

В первый полупериод импульсов синхронизатора 7 кл1оч б воздействует на источник

15 тока смещения так, что через измеряемый диод 1 течет постоянный ток Уь Тогда на диоде благодаря протеканию через него тока малой амплитуды от генератора синусоида IHHol Тока возникает переменное напряжение частоты генератора, амплитуда которого пропорциональна динамическому сопротивлению диода т „, . Это напряжение усиливается ус11лителем 4. В этот же полупериод работы син25 хронизатора ключ б воздействует на усилитель так, что его коэффициент усиления равен !г,. Таким образом, в первьш полупериод на выходе усилителя возникает переменное напряжение высокой частоты, амплитуда ко3п торого пропорциональна произвсдсни1О 1.„„° 1г1.

288155

Составитель Л. Рубинчик

Тскред А. А. Камышникова Кррректор Т. А. У!иапеи

I !

)едактор Ь. Федотов

Заказ 49 Тираж 480 Подписио.

ЦН14ИПИ Комитста Iio делам изобретений и откр>ь!тий при Co»cTñ Ми! истров СССР

>Москва,, К-35, Ра) шская иаб., д. 4, 5

Загорская типография

Аналопично во второй полупериод импульсов синхронизатора в измеряемый диод задается постоянный ток смещения .4, коэффициclIT усиления усилителя равен /г.; амплитуда па выходе его в этом случае пропорциональна произведению > „ /: .

Величн!1а в1>1ходноГО у!апря)кс1п11! x силн тсля пропорциональна измеряемому параметру, и величина сопротивления потерь гуннельIII Ix диодов опредсляегся.

Й вЂ” I /! >.

S >>! 1 >>l а

Детектор-фильт!р высокой частоты /> и синхронный детектор 9 преобразуют эту велич!шу в постоянное напряжение, пропорциональное Г,, которос,pcl нстрируется пзм(рптельным прибором /О.

Оппс!.!ваемое yci poI Icтво позволяет получить результат непосредственно в единицах постоянного напри)кения без трудоемких I.. >I! (!ели!е>!ьных операций и может быть примсil(по дл» автомат)пиеской классификации IIÎ,!1 проводниковь!х приборов по параметрам.

Предмет изобретения

Устройство для автоматического измерения сопротивления потерь туннельных диодов, содержащее генератор сппусоидального тока и источник постоянного тока смещения, отли;,9 >((>>о!!!ееся тем, 1то, с целью повышения то Гности и автоматизации процесса измерения, в пего введен усилитель с управляемым ко)(рфициентом усиления, источник постоянного т () к а с м е Цен и я I l >!" с и, 1 и тел ь е р е 3 эл е !(Тp 0 i l 11 hl ( клкгчи связаны с сиихроппзаторо l, и tt0c,!едоватсльпо с усилителем влючены дстсктор(!>ИЛьт!) ВЫсок011 1ас ГО! Ы Il с11!Iõð0ilïhi;I(ri (кто!), 11!)(Об ) аз; 10п>пс и(! пр!1>к(нпс 1!ы(. Окo! ч(!(1 ОТ!>! Ig 1!ОСТОЯ!!!!Ос 1!а;!!)!1>КЕ1!!!Е! П!)ОПО1)Ц!>О,(! нальное сопроп!вленщо потерь измерясмогс> туннельпог0,. 1110, а.

Устройство для автоматического измерения сопротивления потерь туннельных диодов Устройство для автоматического измерения сопротивления потерь туннельных диодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх