Прибор для измерения шумовых характеристик полевых транзисторов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОПИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

29П72

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК G Olr 31/26

Заявлено 03.1.1968 (№ 1210720/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 10.111.1971

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.317.799.621.382. .3 (088.8) Автор изобретения

В. А. Маркин

Заявитель

ПРИБОР ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ШУМОВЪ|Х ХАРАКТЕРИСТИК

ПОЛЕВЪ|Х ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области радиоизмерений, а именно к измерению шумов полупроводниковых приборов, и может быть применено в приборах, предназначенных для лабораторных и цеховых измерений шумов полевых транзисторов, а также для разработки и настройки аппаратуры, использующей полевые триоды.

Известен аналогичный прибор, использующий в качестве эквивалента внутреннего сопротивления источника сигнала реактивное сопротивление. Однако применение такого прибора затруднено, поскольку для каждой частоты необходим подбор величин реактивных элементов.

Целью изобретения является расширение частотного диапазона при сохранении существующей точности.

Для этого в приборе использован малошумящий двухполюсник, образованный входным сопротивлением охваченного отрицательной обратной связью малошумящего усилителя, в качестве эквивалента внутреннего сопротивления источника сигнала.

На фиг. 1 приведена блок-схема предложенного прибора; на фиг. 2 вЂ” эквивалентная шумовая схема двухполюсника.

Прибор содержит генератор 1 испытательного сигнала, усилитель 2, фильтр 8, детектор 4 и индуктор 5, Между генератором 1 и исследуемым элементом б включен малошумящий двухполюсник 7.

В качестве эквивалента внутреннего сопротивления генератора сигнала использован двухполюсник, представляющий собой входное сопротивление малошумящего усилителя, охваченного отрицательной обратной связью по напряжению, вводимой параллельно входу усилителя. Шумовые свойства усилителя, показанного в виде нешумящего четырехполюспика 8 (см. фиг. 2) имитируются идеальными шумовыми генераторами 9 и 10, включеннымп на входе, При соответствующем выборе параметров усилителя можно получить двухполюсники с требуемой величиной внутреннего сопротивления и коэффициентом шума существенно меньшим единицы. Частотные изменения характеристик двухполюсника определяются изменениями характеристик усилителя, и, следовательно (при соответствующем выборе элементов схемы) в диапазоне звуковых частот

100 гтрк вЂ” 10 кгц внутреннее сопротивление двухполюсника и коэффициент шума могут оставаться неизменными. Величину эквивалентного сопротивления двухполюсника можно регулировать изменением в некоторых пределах коэффициента усиления и сопротивле30 ни я 11.

291172

Предмет изобретения

Ф4с8 ! Ри2. 2

Составитель Л. Рубинчик

Редактор E. Кравцова Техред А. А. Камышникова Корректор О. М. Ковалева

Изд. № 148 Заказ 35176 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Прибор для измерения шумовых характеристик полевых транзисторов, содержащий генератор испытательного сигнала, исследуемый элемент, усилитель, фильтр, детектор и индикатор, отлича ощийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона при сохранении существующей точности измерений, между генератором испытательного сигнала и исследуемым элементом включен малошумящий двухполюсник, образованный входным сопротивлением охваченного отрицательной обратной связью малошумящего усилителя.! ! ! ! ! ! !

Источник питания измерителя надежности диодов // 286001

Способ контроля качества полупроводниковых приборов // 285710

Устройство для разбраковки изделий // 285122

Полуавтомат для разбраковки изделий // 285121

Устройство для измерения коэффициента усиления // 285099

Способ измерения тока закрытого коллекторного перехода транзистора // 283417

Способ измерения электрических параметров тупнельных диодов // 280681

Устройство для визуального наблюдения вольтамперных характеристик л—л-перехода // 280679

Устройство для проверки полупроводниковыхдиодов // 277954

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим