Резистор объемного типа


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

302756

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 30.1.1970 (№ 1396814/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.IV.1971. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 26ХП.1971

МПК Н 01с 7у00

Комитет по делам изобретений и открытий при Соеете Иинистрое

СССР

УДК 621.316.86(088.8) ВС1. лОКУ ЗИ6

4,.Т: . " тцщт1ор;ту

Авторы изобретения Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Ю. П. Юсов, А. В. Перевезенцев, Л. Г. Власов, Н. Е. Просвирнина и П. И. Королева

Заявитель

РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА

Предмет изобретения

Известен резистор объемного типа с токопроводящей фазой на основе сложного карбида.

Цель изобретения — повышение термостойкости и влагостойкости резистора при расширении диапазона сопротивлений в низкоомную область.

Для этого в предлагаемом резисторе исходные компоненты токопроводящей фазы введены в следующих количественных соотношениях (вес.%):

М) — 90,8 — 91,8

C,о,ц 9,2 8,2.

В предлагаемом низкоомном резисторе в качестве резистивного материала используется карбид в области гомогенности !х!ЬСо;„, который отличается низким ТКС, высокой терм о- и вла го стойкостью, химической стойкостью, механической прочностью и может работать при температуре до 400 С.

Постоянные резисторы в габаритах изделий

ТВО-0,25 изготавливались с применением следующих материалов: резистивный — )Х!ЬСо,; наполнитель К вЂ” электрокорундовый микропорошок стеклосвязка флюс ¹ 6 — свинцово-боро-силикатное стекло состава PbO 68,5%; ЯО

11 5%; В20ь 20% подбивка — серебряная выводы — платинитовые.

Цель испытаний — определение основных электрических характеристик резисторов.

5 Резисторы прессовались на автоматах горячего прессования в среде продуктов сгорания пропана при 900 С. Испытания изготовленных резисторов проводились в соответствии с методикой, указанной в .ЧРТх -11, 10 ОЖО.467.035.ТУ.

Композиция имела состав (об.%) NbCi,-,.37, флюс ¹ 6 37, K,— — 26.

Изготовленные резисторы имели номинал

1 о.», коэффициеиг увлажнения 1%, ТКС=-+

15 + 1,5 10 град

20 Резистор объемного типа с токопроводящей фазой на основе сложного карбида, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения термостойкости и влагостойкостп резистора при расширении диапазона сопротивлений в нпзкоом25 ную область, исходные компоненты токопроводящей фазы введены в следующих количественных соотношениях (вес.%):

Nb — 90,8 — 91,8

C()(), 9,2 8,2.

Редактор T. Иванова

Составитель Н. Герасимова

Текред E. Борисова

Корректоры: Л. Корогод и Е, Ласточкина

Заказ 2029/14 Изд. № 853 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при,Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Резистор объемного типа Резистор объемного типа 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх