Резистор объемного типа


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ 303660

CoIos Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 30 Х.1969 (Л 1372064/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 13Х.1971. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 14ХП.1971

МПК Н 01с 7/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.316.86:661.

8... 621 (088.8) Авторы изобретения Г, В. Самсонов, В. Г. Греоенкина, Ю. П. Юсов, A. В. Перевезенцев, Д. Г. Власов, Н. Е. Просвирнина и П. И. Королева

Заявитель

РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА

Предмет изобретения

Изобретение относится к компонентам радиоаппаратуры и может быть использовано в качестве резисторов общего назначения.

Известные непроволочные резисторы объемного типа, выполненные на основе модификации углерода, имеют недостаточную термо- и влагостойкость. Кроме того, эти резисторы не могут быть низкоомными.

Цель изобретения — создание резисторов объемного типа, обладающих низким температурным коэффициентом сопротивления, высокой термо- и влагостойкостью, а также расширяющих номинальные значения сопротивлений в низкоомную область.

Это достигается тем, что в качестве исходного материала используется сложный карбид со следующим соотношением компонентов (в вес. % ):

Та

Соощ

Cсноб и вольфрам — остальное до 100% от общ"го веса компонентов.

Технология изготовления резисторов на основе сло кного карбида указанного состава не отличается от технологии изготовления резисторов на основе модификаций углерода.

Например, постоянные резисторы объемного типа в габаритах изделий ТВО-0,25 изготовляют с применением следующих материалов:

1) исходный резистивный: сложный карбид (в вес. /o) — Та 27 — 28, Coom4,9 — 5,9, 5 C,„„;, 0,3 — 0,7, % остальное;

2) на пол интел ь: «К» — электр окорундовый микропорошок;

3) стеклосвязка: флюс ¹ 6 — свинцовоборосиликатное стекло состава (в % ) РЬО

10 685; SiOg 115; В Оз 20;

4) подбивка серебряная;

5) выводы платинитовые.

Исходный резистивный материал, наполнитель и стеклосвязка смешиваются (причем

15 композиция их имеет состав (в об. %): исходный резистивный 37, наполнитель 26, флюс

37), размалываются в шаровой мельнице и прессуются в среде продуктов сгорания пропана при 900 С.

Резистор объемного типа на основе сложных карбидов, отличающийся тем, что, с це25 лью повышения термо- и влагостойкости при расширении диапазона значений сопротивлений в низкоомпую область, в качестве исходного материала использована композиция со следующим соотношением компонентов

30 (в вес. % ):

303660

Составитель Г. Челей

Редактор А. В. Корнеев Техред А. А. Камьппникова Корректоры; Н. В. Воробьева и Е. В. Исакова

Заказ 1750(8 Изд. № 728 Тираж 473 Подписное

Ц1-1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, W,-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Та общ

Ссвоб

27 — 28

4,9 — 5,9

0,3 — 0,7 и вольфрам — OcTaëüèoå до 100% от общего веса компонентов.

Резистор объемного типа Резистор объемного типа 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх