Датчик давления

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советски»

Свдиалистическив

Рвалублни

322665

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

3 ая влено 02Л.1969 (№ 1298527/18-10) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано ЗО.Х1.1971. Бюллетень № 36

Дата опубликования описания 17.П.1972

М. Кл. G 01l 1/18

Комитет но делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УД К 531.786.91(088.8) Авторы изобретения

Н. Д. Гаджиев, Ф. Д. Касимов, И. Г. Аксянов и Г. Г. Кадымов

Заявитель

ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к электрическим методам измерения давления, Известен датчик давления, в котором используются пьезоэлектрические свойства полупроводникового материала CdS, служащего активным материалом тонкопленочного полевого триода с изолированным затвором. Однако такой датчик характеризуется, во-первых, технологической трудностью создания тонкой пленки CdS, обладающей пьезоэлектрическими свойствами; во-вторых, ограниченным выбором полупроводникового материала, диктуемым наличием у этого материала пьезоэлектрических свойств; в-третьих, необходимостью иметь в качестве подложии материал, обладающий достаточной упругостью и гибкостью, чтобы передавать давление.

Предлагаемый датчик отличается тем, что затвор полевого транзистора непосредственно напылен на невоспринимающую сторону чувствительного элемента

Это позволяет упростить конструкцию и обеспечить технологичность.

На чертеже представлена конструктивная схема датчика.

Он представляет-собой тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором н состоит из подложки 1, выполненной из пьезоэлектрического материала, затвора 2, диэлектрика 3, канала 4, истока 5 и стока 6.

Работа такого транзистора основана на эффекте модулирования тока в канале напряжением, подаваемым на затвор. В предлагаемом датчике ток в канале 4 будет модулироваться зарядом, возникающим на затворе 2 вследствие приложенного к подложке механи 1О ческого воздействия.

Таеи м образам, стокавый ток транзистора будет изменяться пропорционально приложенной нагрузке, что позволит определять последнюю.

Датчик давления, содержащий пьезоэлектрический чувствительный элемент и вторичный преобразователь, выполненный в виде тонкопленочного .полевого транзистора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и обеспечения технологичности, затвор полевого транзистора напылен на невоспринимающую сторону чувствительного элемента, 322665

Составитель Г. Невская

Редактор Л, Народная Техред Е. Борисова Корректор О. Тюрина

Заказ 866 Изд. № 1747 Т,ираж 473 родиновое

ЦНИИПИ Комитета по делам кзнретений и отирытый при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Т ипография № 24 Главполиграфпрома, Москва, Г- 19, ул. Маркса — Энгельса, 14