Состав для герметизации полупроводниковых

Авторы патента:

И. Н. Васильев, Т. В. Лаврова , А. И. Курносов

H01L31 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

H01L21/47 - из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/475,H01L 21/4757 имеют преимущество)

392836

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.XI1.1971 (№ 1725879/26-25) с присоединением заявки №

М. Кл. Н 011 1/10

Приоритет

Государственный комитет

Саввта Министров СССР

IlD делам изобретений н открытий

Опубликовано 10,Х11.1973, Бюллетень № 47

Дата опубликования описания 12.IV.1974

УДК 621.382.002 (088.8) Авторы изобретения

И. Н. Васильев, Т. В. Лаврова и А. И. Курносов

Заявитель

СОСТАВ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности, к технике герметизации пластмассами полупроводниковых приборов.

Полупроводниковые приборы выпускают в различных корпусах или в бескорпусном исполнении. Известны составы для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидных, кремнийорганических, полиуретановых и других соединений, используемые для изготовления широкого ряда полупроводнико вых приборов в пластмассовых корпусах.

Однако кремнийорганические соединения имеют низкую механическую прочность, известные составы на основе эпоксидов недостаточно термостойки (до 125 вЂ” 150 С) и имеют высокие значения диэлектрических потерь.

Поэтому такие составы не могут быть применены для герметизации приборов, работающих в ВЧ и СВЧ диапазонах длин волн. В связи с этим ВЧ и СВЧ приборы классическими методами герметизируют в металлокерамические корпуса без применения пластмасс.

Цель изобретения вЂ” разработка состава для герметизации полупроводниковых приборов, в частности ВЧ и СВЧ диодов, обеспечивающего возможность работы прибора при повышенных температурах (до 180 С) и влажности с малыми диэлектрическими потерями (менее 0,01) на СВЧ, Цель достигается тем, что для герметизации применяют состав на основе эпоксиццануровой смолы (ЭЦД), ангидридного отвердителя и минерального наполнителя.

Смола ЭЦД вЂ” термостойкая эпоксидная смола на основе циануровой кислоты и эпихлоргидрина. Сочетание термостойкой смолы ЭЦД и отвердителя вЂ” метилтетрагидрофталевого

1о ангидрида (МТГФА) вЂ” обеспечивает термостойкость (до 180 С) компаунда.

При отвержденпи состава в течение 2 час при 100 С, 2 час при 120 С, 2 час при 150 С и

15 3 час при 180 С образуется плотная стекловидная пластмасса, обладающая рядом ценных свойств: на частоте 10 гц тангенс угла диэлектрических потерь равен 0,011, диэлектрическая постоянная 2,8; потеря первоначаль20 ного веса образцов при выдержке 720 час при

200 С составляет 1,8О О.

Разветвленная структура МТГФА способствует образованию поперечных сшивок, что повышает влагостойкость компаунда. В качест25 ве наполнителя используют нитрид бора высокой чистоты.

Предлагаемый состав имеет следующее соотношение компонентов, вес. ч.: смола ЭПД

100 вЂ” 105, МТГФА 90 вЂ” 95, нитрид бора (на30 полнитель) 95 вЂ” 200.

392836

Составитель М. Сорокина

Редактор А, Мельниченко Техред 3. Тараненко Корректор А. Дзесова

Заказ 797/5 Изд. ¹ 318 Тираж ?80 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Состав приготавляют следующим образом.

Готовят навески смолы ЭЦД и отвердителя

МТГФА с последуюшим подогревом смолы до 85 С и расплавлением отвердителя МТГФА при 100 С. Отвешивают какой-либо наполнитель, например нитрид бора. Расплав отвердителя тщательно перемешивают со смолой, в приготовленную смесь добавляют наполнитель и также тщательно перемешивают. Полученный состав вакуумируют при 85 С и разрежении 10 вЂ” мм рт. ст. в течение 10 вЂ” 15 мин, после чего состав готов к использованию.

Испытание предлагаемого состава на СВЧ диодах показывает его применимость для целей герметизации полупроводниковых ВЧ и

СВЧ приборов.

Предмет изобретения

Состав для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидной смолы в сочетании с ангидридным отвердителем и минеральным наполнителем, о т л и ч а ю щ и йlO ся тем, что, с целью повышения термостойкости, влагостойкости и уменьшения диэлектрических потерь приборов на СВЧ, он содержит следующие компоненты, вес. ч.: эпоксициануровая смола 100 вЂ” 105, метилтетрагидрофтале15 вый ангидрид 90 вЂ” 95, нитрид бора 95 вЂ” 200.