Устройство для измерения параметров транзисторов

 

(i » 425I39

Союз Советских

Социалистических

Реюу6ттик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ! (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 24.07.72 (21) 1813921/26-25 (5)) )М. Кл. 6 01г 31i26 с присоединением заявки ¹â€”

Государстееннн ;й комитет

Совета Министров .ббр па делам изобретений и открытий (32) Приоритет—

Опубликовано 25.04,74. Бюллетень .м 15

Дата опубликования описания 15.11.74 (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. И. Прашек и М. Ф. Колпакчи (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к технике измерения транзисторов в .динамическом режиме.

Известно устройство для измерения параметров транзисторов в динамическом режиме, содержащее генератор, формирователь тестового сигнала с подключенным к его выходу задающим базовый ток резистором и нагрузкой в цепи коллектора измеряемого транзистора, состоящей .из двух последовательно соединенных резисторов, к средней точке которых подключен источник опорного напряжения.

Однако при .использовашш известного устройства не может быть обеспечена высокая точность измерепия параметров транзисторов.

Цель изобретения — повышение точности и расширение пределов измерения.

Это достигается тем, что резисторы коллекторной нагрузки включены между коллекторным выводом тт шиной «земля», средняя точка между резисторами коллекторной нагрузки соединена через первый переключатель, например поляризованное реле, с выходом формирователя, а эмиттерпый вывод через первый и второй переключатель соединен с выходом формирователя или шиной «земля».

На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.

Устройство состоит из генератора 1, формирователя 2 тестового сигнала, резистора 8, включенного между выходом 4 формирователя 2 и базовым выводом 5,измеряемого транзистора 6, резисторов 7 и 8, включенных последовательно между коллекторным выводом

9 и шиной «земля», ключей 10 и 11, элементов

12 и 18 управления ключами.

Устройство работает следующим образом.

Тестовый сигнал на выходе 4 формирователя 2 имеет форму двухполярных прямоугольных импульсов. Импульсы положительной полярности поступают на токозадающий базовый резистор 8, на элементы 12 и 18 управления ключами. При этом ключ 10 соединяет выход 4 со средней точкой коллекторных резисторов 7, 8, а ключ 11 — эмиттерный вывод с «землей». Транзистор 6 открывается.

Ток коллектора транзистора определяется резистором 7. Тестовые импульсы отрицательной полярности поступают на те же элементы.

При этом ключ 11 отключает эмиттсрный вывод 14 от «земли», а ключ 10 отклю гает вывод

4 от средней точки коллекторной нагрузки и подключает его к эмиттерному выводу 14.

Транзистор 6 закрыт. Выходной сигнал, снп25 маемый с коллекторного вывода 9 еизмеряемого транзистора 6, представляет собой двухполярные импульсы. Амплитуда положительной полярности выходных импульсов равна напряжению насыщения измеряемого транзистора.

30 Амплитуда отрицательной полярности выход425139

Предмет изобретения

Составитель В. Немцов

Техред Е. Борисова

Гедактор А. Батыгин

1(орректор В. Гутман

Зак з 1679/536 Изд. ¹ 842 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент». ных импульсов равна падению напряжения на резисторах 7 и 8 от остаточного тока закрытого измеряемого транзистора 6.

В предлагаемом устройстве выходные сигналы, соответствующие параметрам открытого и закрытого транзистора, отсчитываются от нулевого уровня, что позволяет применять измерительные средства с большим усилием. За счет этого точность измерения параметров в предлагаемом устройстве повышается.

В устройстве разделенная коллекторная нагрузка (резисторы 7 и 8) позволяет, изменяя величины сопротивлений резисторов 7 и

8, отдельно задавать ток коллектора (резистором 7) открытого транзистора и падение напряжения от протекающего остаточного тока закрытого транзистора (резистором 8).

Устройство для измерения параметров транзисторов, содержащее генератор, формирователь тестового сигнала с подключенным к его выходу задающим базовый ток резистором и последовательно соединенные резисторы нагрузки в цепи коллектора испытуемого транзистора, отличающееся тем, что, с целью

10 повышения точности и расширения пределов измерения параметров, резисторы коллекторной нагрузки включены между коллекторным выводом и шиной «земля», средняя точка между резисторами коллекторной нагрузки соединена через переключатель, например поляризованное реле, с выходом формирователя, а эмиттерный вывод через первый и второй переключатель соединен с выходом формирователя или шиной «земля».

Устройство для измерения параметров транзисторов Устройство для измерения параметров транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх