Устройство для измерения теплового сопротивления транзисторов

 

" 42!955

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

С©юз Советских

Сощиалистмческих

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельств»в (22) Заявлено 08.09.70 (21) 1474377;26-25 с присоединением заявки М— (32) Приоритет—

Опубликовано 30.03.74. Бюллетень ¹ 12

Дата опубликования описания 19.11.74 (51) М.Кл. С Olr 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР оа делам иаобре ений и открытий (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Автор изобретения

Г. Д. Каплан

Минский завод «Транзистор» (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО

СОПРОТИВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

1

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых приборов.

Известны устройства для измерения теплового сопротивления транзисторов, содерж»щие генератор импульсов греющего тока, г— нератор измерительных импульсов и источник коллекторного напряжения.

Однако при использовании известных стройств точность измерений температуры перехода ограничена погрешностью импульсных измерений зависимого от температуры параметра — прямого падения напряжения на и"реходе транзистора; кроме того, измерения весьма трудоемки.

Цель изобретения — повышение точности и обеспечение возможности явтоматизацн« измерений.

Цель достигается тем, что предлагаемое устройство содержит регулирующий нуль-орган, вход которого соединен с клеммой для подключения базы испытуемого транзистора it с токосъемныат резистором, а выход соединен с генератором импульсов греющего тока.

На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства. Оно содержит генератор 1 импульсов греющего тока, генератор 2 измерительных импульсов, испытуемый транзистор 8, источник 4 коллекторного напряже2 ния, клеммы 5, б, 7 для подключения испытуемого транзистора, токосъемный резистор 8, регулирующий нуль-орган 9, цепь синхронизации 10.

> Известно, что где T„— температура перехода, Т,„— температура среды, Р— мощность, рассеиваемая тра«знстором, P = U, l„.о, (2) где U„.— коллекторное напряжение на транзисторе, l — коллекторный ток, 0 — сквя>кность импульсов разогрева.

Прц 1 = соп 1 (3)

ЛР

Испыт; exit té rtpttnop cT, tt» ливяют а жимы, отличающиеся температурой среды и

2: мощностью, рассеиваемой ня транзисторе, и одиняковыс по вели шнс температуры переходя.

При подключсшш испытуемого трянзис-,ора 8 к клеммам 5, б, 7 при некоторой темпезс ратуре окружающей среды Т,н, например

421955

Тср1 — 7 ср2

P,— P

Составитель 3. Челнокова

Техред Т. Курилко

Редактор И, Орлова

I(oppeктор 3. Тарасова

Заказ 4420 Изд. № 1438 Тираж 678 Подписное

ЦН11ИГ1И Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 3(-35, Раушская наб., д. 4/5

МОТ, Загорский цех

3 комнатной, через эмиттер транзистора течет эмиттерный ток за счет работы генераторов

2 и цепи синхронизации 10. Источник 4 обеспечивает напряжение U„, и на транзисторе выделяется мощность в соответствии с формулой (2). Во время измерительных импульсов эмиттерного тока возникают соответственные импульсы тока базы, и сигнал, пропорциональный им, выделяется на токосъемном резисторе 8. Этот сигнал является входным для регулирующего нуль-органа 9. Сигнал синхронизации, поступая по цепи 10 к регулирующему нуль-органу, обеспечивает реакцию последнего только на импульсы тока базы, соответствующие измерительным импульсам. Регулирующий нуль-орган автоматически меняет величину импульсов тока разогрева генератора 1, а следовательно, и мощность разогрева испытуемого транзистора. Изменение мощности производится до тех пор, пока импульсы тока базы во время измерительных импульсов не становятся равными нулю. По окончании регулирования, зная U и установившуюся величину I,, можно высчитать мощность Р1 по формуле (2). При изменении температуры среды, например при нагреве транзистора в термостате, процесс регулирования автоматически повторяется, причем получается другое значение мощности Р .

Затем определяют величину теплового сопротивления исследуемого транзистора по формуле

Описываемое устройство применимо для исследования только для тех транзисторов, у которых эффект равенства нулю тока базы (поворот фазы базового тока) зависит от температуры.

15 Предмет изобретения

Устройство для измерения теплового сопротивления транзисторов, содержащее генератор импульсов греющего тока, генератор из2о мерительных импульсов и источник коллекторного напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и автоматизации измерений, оно содержит регулирующий нульорган, вход которого соединен с клеммой для

25 подключения базы испытуемого транзистора и с токосъемным резистором, а выход соединен с генератором импульсов греющего тока.