Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов с s-образной характеристикой

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<»> 4283I4

Союз Советских Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 12.09.72 (21) 1828617/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—

Опубликовано 15.05,74. Бюллетень ¹ 18

Дата опубликования описания 03.03.75 (51) М. Кл. 6 Olr 31"26 Государственный комитет

Савета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 621.317.7. .621.396.6 (088.8) (72) Автор изобретения (71) Заявитель, ф 1 ОЙ 141 1"

В. П. Дьяконов

Смоленский филиал Московского Ордена Ленина энергетического института (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

С S-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

Настоящее изобретение относится к области контроля параметров полупроводниковых приборов.

Известны приборы для измерения S-образных вольт-амперных характеристик .полупроводниковых приборов (динисторов, лавинных транзисторов и др.), которые содержат испытуемый прибор, соединенный через резистор с источником питания, пиковые детекторы и вольтметры.

Данные приборы позволяют определять основные параметры S-образной характеристики путем последовательного снятия ее точек по показаниям приборов или на экране ооциллогра фа. Такие измерения очень трудоемки, требуют больших затрат времени и часто и м еют низ кую точ н ость.

С целью повышения точности измерений и одновременной регистрации трех параметров S-образной вольт-амперной характеристики параллельно клеммам испытуемого прибора включены емкость и цепь из детектора и первого вольтметра, параллельно с которым соединены емкость и последовательно включенные второй вольтметр и третий вольтметр, параллельно с которым соединен детектор, подключенный через емкость к клеммам испытуемого прибора. .На чертеже изображена схема устройства.

Оно содержит: испытываемый прибор 1 зарядный резистор 2,,накопительную емкость 8, конденсаторы вольтметров 4, 5, детекторы 6, 7, вольтметр напряжения включения 8, вольтметр напряжения выключения 9, вольтметр

5 разности напряжений включения и выключения 10.

Устройство работает следующим образом.

Конденсатор 8 периодически заряжается через резистор 2 и быстро разряжается через прибор 1.,В результате на приборе получается пилообразное, напряжение.

Как известно из теории релаксациопных генераторов, при достаточно большом значени и ем кости С включение прибора п!роисходит точно при напряжении Ь,.„а выключение—

15 при напряжении U,,, Траектория движения рабочей точки показана стрелками.

Амплитудный вольтметр с закрытым входом (конденсатор 4 и диод 5) измеряет амплитуду пилообразного напряжения, т, е. разность (U„,— U.„„,„). Эта величина показывается обычным высокоомным вольтметром б.

Амплитудный вольтметр с открытым входом (диод 7 и конденсатор 8) измеряет максимальное мгнсвеиное значение выходного напряжения U„„, релаксатора (конденсатор

8 заряжается до уровня U„,). Следовательно, вольтметр 8 показывает напряжение U„, Вольтметр 10 измеряет разницу напряжений амплитудных вольтметров, которая равна

428314 Предмет изобретения

Составитель Т. Дозоров

Техред T. Курилко

Корректор И. Снмкина

Редактор Л. Цветкова

Заказ 76/248 Изд. № 1617 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тнп. Харьк. фил. пред. «Патент»

UBKJI (UBRä Увы л )= Урм д. Следовательно, он дает прямой отсчет U...,,,;

Таким образом, схема осуществляет одновременный отсчет напряжений Ьдкл Увыка и (UBK. — UB5IK. ). Лоскольку эти напряжения значительны, то погрешность диодных вольтметров оказывается небольшой. Поскольку погрешности при измерениях Увкб и У„„ оказываются практически идентичными при использовании одинаковых диодов 5 и 7 и конденсаторов 4 и 8, то минимальная величина U»,. измеряется;практически без дополнительной погрешности (погрешности диодных вольтметров взаимно уничтожаются и остается только погрешность индикатора 10).

Благодаря измерению в типовой схеме релакса ционного генератора,,измеренные значения UBK1 и У„„более достоверны, чем при известных способах измерения. Схема значительно проще, чем обычные схемы характериографов, и позволяет производить более быстрый замер. Лри использовании цифровых регистрирующих приборов б, 9 и 10 процесс измерения может быть полностью автоматизирован. Предлагаемое устройство может быть применено для измерения, параметров различных лриборов, имеющих S-образную вольт-ампвр,ную ха ра ктеристику: динисторов, ти ристоров, 5 однопереходных транзисторов и др.

Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов с S-образной характеристикой, содержащее, источник питания, нагрузочный резистор, детекторы и вольтметры, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения и одновременной регистрации трех параметров S-образной вольтампе р|ной характеристики, параллельно клеммам испытуемого прибора включены емкость .и,цепь из детектора и первого вольтметра, параллельно с которым соединены емкость и .последовательно включенные второй вольтметр и третий вольтметр, параллельно с которым соединен детектор, подключенный через ем25 кость к клеммам испытуемого прибора.

Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов с s-образной характеристикой Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов с s-образной характеристикой 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх