Устройство для проверки к восстановления транзисторных структур

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОЫРЕТ ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

II I) 434341

Союз Советских

Социалистимеских

Реслублик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 11,1 2.72 (21) 1854546, 26-25 (51) М, Кл б 01г 31, 26 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 30.06.74. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 31.10.74 (53) УД1 621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

С. С. Булгаков, В. М, Выгловский, В. C. Горохов и 1О. В. Хотошков (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОВЕРКИ И ВОССТАНОВЛЕНИЯ

ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к области промып1ленного производства полупроводниковых приборов, в частности многоэмиттерных транзисторов и интегральных схем на таких транзисторах.

В настоящее время число эмиттерных ячеек отдельных типов транзисторов достигает 300 и более. Смыкание одной или нескольких ячеек эмиттер — база в результате диффузионных или фотолитографических процессов при- 10 водит к выходу из строя всей транзисторпой структуры, в то время как вклад в работу транзистора отдельных ячеек незначителен и работоспособность транзистора не изменяется при удалении закороченного участка структу- 15 ры, а эксплуатационные характеристики не отличаются от характеристик приборов, в которых закоротки перехода эмиттер — база отсутствуют.

Известно устройство для контроля вольт- 20 амперных характеристик транзисторных структур, содержащее характериограф и контактные зонды. Это устройство предназначено только для контроля вольтамперных характеристик, и его невозможно применить для 25 реставрации короткозамкнутых переходов эмиттер — база.

Цель изобретения — обеспечение возможности наряду с контролем вольтамперных характеристик реставрировать короткозамкну- 30 тые переходы эмиттер — база и визуально контролировать количество работающих эмиттерных областей.

Цель достигается тем, что предлагаемое устройство снабжено источником напряжения и коммутатором для поочередного подключения к зонда I характерпографа и упомянутого источника напряжения. При этом один из зондов соединен со средней точкой перскл10чателя, а один из полюсов этого переключателя соединен с источником напряжения через выпрямитель.

На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство.

Оно включает в себя характериограф 1, группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, телефонньш ро.шковьш

КЛIОч 7 без фпксации роли1 а и контактный стол 8.

Устройство работает следующи образом.

Пластину 9, имеющую многоэмпттерные структуры, состоящие из и параллельно соединенных»Ie»:,д1 сооои ячеек. Каждая из которых содержит р — и-переход и последовательно включенное в цепь эмиттера балластное сопротпвлеьп1, помещают на стол 8 и подводят зонды так, I обы зонд 2 располагался на базовой контактной плотцадке, а зон 1»1 3 и 4— ня эмиттсрных.

434341

Составитель 3. Челнокова

Текред H. Куклина

Редактор И. Орлова

Корректор Л. Орлова

Заказ 2910/17 Изд. № 1743 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Для структуры, имеющей одну контактную эмиттерную площадку, используют один из зондов 3 и 4, оставляя другой свободным.

Контроль вол ьтамперных характеристик транзисторных структур оператор проводит при расположении ключа 7 в положение а.

При обнаружении же короткозамкнутого перехода эмиттер — база ключ 7 переводят в положение б или в в зависимости от конструкции транзисторной структуры.

В положении ключа 7 б источник переменного напряжения 5 оказывается подключенным к эмиттерным контактным площадкам.

Ток в транзисторной структуре протекает по закороченным с базой эмиттерным ячейкам и вызывает разрушение перемычек или балластных сопротивлений. Дальнейшее протекание тока прекратится, так как оставшиеся годными эмиттерные р — п-переходы оказываются включенными навстречу друг другу.

Количество выжженных эмиттеров визуально контролируют переводом ключа 7 в положение в. В это л положении работающие эмиттеры оказываются обратно включенными с диодом 6 в цепь источника переменного напряжения 5. Обратное напряжение вызывает свечение работающих эмиттеров, за которыми наблюдают визуально в микроскоп.

Для структуры с одной контактной площадкой реставрацию короткозамкнутого перехода проводят одновременно с визуальным контролем при расположении ключа 7 в положении в.

Реставрация эмиттеров транзисторной структуры проводится под напряжением 5 в.

Предмет изобретения

Устройство для проверки и восстановления транзисторных структур, содержащее характериограф и контактные зонды, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью реставрации короткозамкнутых переходов, оно содержит коммутатор, соединенный с зондами, характериографом, источником переменного напряжения и диодом, выпрямляющим переменное напряжение.