Способ изготовления диафрагм

 

Ч в%тент —:о- =хг. / >" о;г*л

О П - РФ - 4Ф И-ИЗОБРЕТЕН Ия

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 524257

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.05.74 (21) 2022081/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.08.76. Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 15.12.76 (51) М. Кл.

Н 01 J 37/26

Государственный комитет

Совета й1инивтров СССР оо делам изаоретений и OTKpblYHH (53) УДК 621.385.83. (088.8) (72) Авторы изобретения

И. С. Мартынов и А. Л. Серюгин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИАФРАГМ

Изобретение относится к области электронной микроскопии и может быть использовано в процессе электронно-микроскопических исследований.

Известен способ изготовления диафрагм из медной ленты i1) р заключающийся в накалывании металлической ленты тонкой иглой с последующим химическим растравливанием отверстия до нужного размера. Однако способ является трудоемким и не позволяет получать маленькие отверстия правильной круглой формы.

Наиболее близким прототипом является способ изготовления дифрагм (2), включающий последовательное напыление в вакууме на подложку растворимой в воде и металлической пленок. Однако способ не позволяет получить диафрагмы размером менее микрона и является достаточно трудоемким, так как требует сложного препарирования.

Целью изобретения является получение диафрагм с отверстием правильной крутлой формы диаметром порядка 0,5-60 мкм.

Для достижения цели в качестве растворимой пленки на подложку наносят пленку сахара со скоростью более 1000 А /сек.

Осуществляется способ следующим образом.

На гладкую, например стеклянную, подложку в вакууме осаждают с большой ско1> с, ья. ()1000 А/сек) тонкую пленку сахара. При боя,ших скоростях испарения на пленке cax"ра образ. ются островки иглообразной формы, Затем на пленку в вакууме не выше 5,10 тор осаждают метал:t ло толщины 30-60 мкм. Из- за наличия островков в форме игл конденсирующаяся на пленке ме„; c÷ческая пленка получается "дырчатой" с отверстиями. Толщина 30-60 мкм нанесенной мета...пд.с10 ской пленки является оптимальной. Оп тл. «ь н ная величина скорости осаждения McT të.К

200-300 А /сек. В металлической пленке, осажденной при оптимальных скорости и толщине, получается широкий набор круглых отверстий диаметром

15 от 0,5 до 60 мкм. Во время испарения металла

-5 вакуум необходимо поддерживать не выше 5,10 тор, так как в более глубоком вакууме металлическая пленка получается напряженной и сворачивает— ся при последующем ее отделении от подложки в

20 воде. Отделенная металлическая пленка помещается на пластинку из полированного оргстекла. Далее на столике микроскопа, например, МБС-1 производится отыскание отверстия нужного диаметра, его центровка в пробойничке и вырезание диафрагр5 мы с найденным отверстием в центре.

524257

Составитель Б. Калин

Техред Н. Андрейчук

Корректор Б. Югас

Редактор Н. Вирко

Заказ 5000/378

Тираж 977 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Рауп|ская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формула изобретения

Способ изготовления диаФрагм, включающий последовательное напыление в вакууме на подложку растворимой в воде и металлической пленкой, о т— л и ч а ю шийся тем, что,с целью получения диаф— рагм с отверстиями правильной круглой формы диа— метра порядка 0,5 — 60 мкм, в качестве растворимой

4 пленки наносят пленку сахара со скоростью более (1000 А/сек).

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Алейников Ф. К., Каталинас P. Ю. "Завод— ская лаборатория", ХХХХХ, Р 7, 1967 г., 897.

2. J.PALS. E. Sc1, 3|зЬЪ| цттт. 1971,4, N 8, 609-610 — прототип .

Способ изготовления диафрагм Способ изготовления диафрагм 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим транспортировку и установку зондов и образцов в позиции измерения и функционального воздействия

Изобретение относится к ядерной технике, в частности к исследованию материалов, подвергающихся воздействию радиации

Изобретение относится к способам получения изображений в растровой электронной микроскопии

Изобретение относится к сканирующей туннельной спектроскопии и может быть использовано в зондовых микроскопах и приборах на их основе

Изобретение относится к области научного приборостроения и может быть использовано при выпуске просвечивающих электронных микроскопов

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники

Изобретение относится к микробиологии и может применяться при профилактике инфекционных болезней

Изобретение относится к вакуумной технике и предназначено для проведения операций по перемещению объектов внутри вакуумных систем
Наверх