Способ измерения отношения скоростей поверхностей рекомбинации

 

Союз Советских (и) 530285

С ц

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.04.74 (21) 2012528/25 с присоединением заявки М (23) Приоритет(51) N. Ел. -

601 R 81/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изссретений н открытий (43) Опубликовано30.09.76.Бюллетень ¹36 (53) удК 681 882 2 (088.8) (45) Дата опубликования описания 25.11.76

В. П. Жебрюнайте, И. С. Левитас, Ю. К. Пожела и А. П. Сащук (72) Авторы изобретения

Институт физики полупроводников АН Литовской CCP (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ОТНОШЕНИЯ СКОРОСТЕЙ

ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАLIIM

Изобретение относится к области техники измерений полупроводниковых параметров и может быть применено при изготовлении полупроводниковых приборов.

Известен способ измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации на противоположных гранях прямоугольного полупроводникового образца, путем пропускания через образец электрического тока и помещения его в магнитное поле с последующим из- 0 мерением изменения сопротивления образца.

Недостатком известного способа является его низкая точность при измеоении больших отношений скоростей поверхностной рекомбинации. 15

Из известных способов наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации, в полупроводнике, основанный на использовании гальваномагниторекомбинационного эффекта, путем пропускания через него постоянного тока в постоянном магнитном поле и измерениядвух вольтамперных характеристик образца, одна из которых измеряется до помещения, дру- 25 гая после помещения образца в магнитное поле.

Недостатком известного спо".îá; измерения является его низкая точность.

Белью изобретения является повышение точности измерения.

Поставленная цель достигается тем, что через полупроводник пропускают переменный ток, регистрируют величину падения напряжения на образце от переменного тока, затем воздействуют на образец постоянным магнитным полем, напряженность кетового увеличивают до величины, при которой падение напряжения на образце от переменного тока равно падению напряжения до воздейсть.я магнитным полем, и по величине напряжен— ности поля расчетнь1м путем опре-еляю: отношение скоростей поверхнсстнсй ..екомблнации.

Это дает возможность повы=;::;"о ",;ос" . измерения, так как измеряется н:= .-е -,L.-.амперная характеристика, на рсзуль;.аты котсрой влияют как контактные явленпя, так н явления разогрева, а зависимость выхо..лого сигнала от величины магнитного пот1я.,е--о530285 4

U,U — постоянное и переменное напряжение на образце;

Н„ — критическое магнитное поле;

К вЂ” коэффициент, зависящий от параметров полупроводника. z.

= zaK(u,è„)Í„

1 — толщина образца; где CI

Составитель В. Немцев

Техред А. Демьянова Корректор Н. Буга. ова

Редактор Н. Коляда

Заказ 5243/643 Тираж 1029 Подписное

?1НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, рая измеряется при одном значении электр ческого поля.

Измерение отношения скоростей поверхностной рекомбинации происходит следующи образом: по измеряемому образцу текут по стоянный и переменный токи, которые отфильтровывают и компенсируют в отсутствие магнитного поля. При помещении измеряемого образца в постоянное магнитное поле сопротивление образца уменьшается, и на выходе появляется переменная составляющая падения напряжения, которая при воздействии на образец критической величины магнитного поля становится равной нулю.

По величине напряженности критического магнитного поля, при которой переменная со- б ставляющая падения напряжения становится равной нулю, определяют отношение скоростей поверхностной рекомбинации из выражения

Формула изобретения

Способ измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации в полупроводнике путем пропускания через него постоянного тока в постоянном магнитном поле, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения, через полупроводник пропускают переменный ток, регистрируют величину падения напряжения на образце от переменного тока, затем воздействуют на образец постоянным магнитным полем, напряженность которого увеличивают до величины, при которой падение напряжения на образце от переменного тока равно падению напряжения до воздействия магнитным полем, и по величине напряженностиполя расчетным путем определяют отношение скоростей поверхностной рекомбинации.