Известна запоминающая матрица,содержащая плату возбуждения, запоминающую плату и демпфирующие платы, на которые нанесены системы шин, и которые объединены в монолитную конструкцию путем теплового вплавления

C13 °

Недостатком такой конструкции явля-1О ется низкая амплитуда выходных сигналов обусловленная тем, что каждый запоминающий элемент механически зажат по периметру, так как конструкция матриц является монолитной. Кроме 15 того, эта матрица имеет высокий уровень помех на выходе.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминащр as матрица, содержащая группы 2р сегнетопьеэоэлектрических пластин, соединенных по экранирующим электродам и имеющих разрядные и общие элек;троды 2) °

Недостатком этой запоминающей мат- 25 рицы является низкая амплитуда выходных сигналов, снижающая помехоустойчивость матрицы и определяемая жесткостью закрепления запоминающих .ячеек памяти в матрице. Кроме того, эта запоминающая матрица обладает невысокой технологичностью, обусловленной тем, что одноименные разрядные электроды необходимо объединять в разрядные шины.

Цель изобретения вЂ” повышение помехоустойчивости и технологичности матрицы

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающей матрице, содержащей группы сегнетопьезоэлектрических пластин, соединенных экранирующими электродами, разрядные электроды,причем на сегнетопьезоэлектрические пластины второй группы параллельно экранирующим электродам, расположенным на одной стороне сегнетопьезоэлектрических пластин, нанесены общие электроды, расположенные на другой стороне сегнетопьезоэлектрических пластин, разрядные электроды расположены на одной из сторон сегнетопьезоэлектрических пластин первой группы перпендикулярно экранирующим электродам.

На фиг. 1 изображена конструкция запоминающей матрицы; на. фиг. 2 и .3 вЂ” варианты конструкции запоминающей матрицы (когда одна из групп пластин заменена одной пластиной). Устройст855731 во содержит запоминающую матрицу (см.фиг.1), состоящую из первой 1 и второй 2 группы сегнетопьезоэлектрических пластин, соединенных экранирующими электродами 3. На пластины первой группы 1 нанесены разрядные электроды.4, пластины второй группы

2 - общие электроды 5. Разрядные электроды 4 расположены на одной из сторон пластин 1 перпендикулярно экранирующим электродам 3. Такая кон струкция позволяет акустически развязать как входные, так и выходные цепи.

Если необходимо развязать толькс входные или только выходные цепи, то предпочтительными являются варианты конструкции, запоминающей матрицы, изображенные соответственно на фиг. 2 и 3.

Матрица работает следующим образом.

Магнитопьезоэлектрические пласти ны 2 между общим 5 и экранирующими

3 электродами жестко заполяризованы при изготовлении матрицы. За- пись информации осуществляется в сег нетопьезокерамических пластинах приложением напряжений поляризации требуемой ампЛитуды, полярности и длительности между разрядными 4 и экранирующими 4 электродами.

Направление и величина поляризации этих участков определяет записанную информацию.

При считывании информации все экранирующие электроды 3 подключают к шине нулевого потенциала (не показана). Напряжение считывания можно подавать либо на разрядные электро ды 4, тогда считанную информацию снимают с общих электродов 5, либо на общий электрод 5, тогда считанную информацию снимают с разрядных электродов 4.

Описанные выше конструкции сегнетопьезоэлектрических запоминающих матриц позволяют объединить положительные особенности монолитных матриц и матриц из числовых линеек,которым присущи высокие выходные сигналы и развязка от акустических помех. У монолитных матриц каждый запоминающий элемент со всех сторон зажат, отсюда выходные сигналы невысокие и, кроме того, есть пути распространения акустических волн, а значит и помех. Однако матрицы из

5 числовых линеек имеют невысокую технологичность, так как необходимо единичные разрядные электроды объединять в разрядные шины. От этого не достатка свободны монолитные матри1О цы, поскольку разрядные электроды сразу объединены в разрядные шины.

Сохранив полосовые электроды и разделив монолитные пластины на по лосы,т.е. образовав группу пластин

f5 представляется возможность сохранить технологичность монолитных конструкций (разрезы можно выполнять травлением), а также получить более мощные выходные сигналы и акустические,раз2о.вязать входные или выходные цепи. я

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая группы сегнетопьезоэлектрических пластин, соединенных экранирующими электродами, разрядные электроды,причем на сегнетопьезозлектрические пластины второй группы параллельно

30 экранирующим электродам, расположенным на одной стороне сегнетопьеэоэлектрических пластин, нанесены общие электроды, расположенные на другой стороне сегнетопьезоэлектрических

ЗЗ пластин, о,т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и технологичности матрицы, в ней разрядные электроды расположены на одной из сторон сегнетопье4О зоэлектрических пластин первой группы перпендикулярно экранирующим электродам.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США М 3401377, » кл. 340-173.2, опублик. 1967.

2 ° Авторское свидетельство СССР

9 674099, кл. G 11 С 11/22, 1975 (прототип).

855731

Составитель В. Рудаков

Техред Я Пекарь Корректор С. км р

Редактор М . Погориляк

Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раумская наб, д. 4/5

Закаэ 6923/73

1 филиал ППП "Патент", r. ужгород, ул. Проектная,4

Похожие патенты:

Запоминающее устройство // 842961

Накопитель для запоминающего устройства // 830574

Способ записи и считывания информации в сегнетопьезоэлектрическом односекционном запоминающем элементе // 780040

Запоминающая матрица // 752475

Накопитель для запоминающего устройства // 752474

Запоимнающее устройство // 746725

Запоминающее устройство // 690564

Матрица для запоминающего устройства // 674099

Запоминающее устройство // 608197

Запоминающее устройство // 597006

Композиция материала запоминающего устройства, способ его изготовления, энергонезависимое запоминающее устройство, способ его изготовления, способ запоминания и воспроизведения двух независимых бит двоичных данных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства // 2124765

Способ создания трехмерной оптической памяти // 2143752

Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде

Сегнетоэлектрическое устройство обработки данных // 2184400

Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией

Способ выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией и устройство для осуществления этого способа // 2239888

Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа

Адресация матричной памяти // 2239889

Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал

Энергонезависимая пассивная матрица, способ считывания из подобной матрицы и устройство трехмерного хранения данных // 2245584

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти

Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способа // 2250518

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал

Ферроэлектрический запоминающий контур и способ его изготовления // 2259605

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления

Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур // 2269830

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости

Трехмерное запоминающее устройство // 2274913

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству