Выпариванием растворителя (C30B7/02)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2110)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)

C30B7 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B9; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B11; под защитной жидкостью C30B27)(237)

C30B7/02 Выпариванием растворителя(16)

Аналоги инсулина // 2769476

Настоящее изобретение относится к области биотехнологии, конкретно к аналогам инсулина, и может быть использовано в медицине. Изобретение раскрывает пептид, являющийся быстродействующим аналогом инсулина, отличается от известных аналогов тем, что представлен в мономерной форме и сохраняет активность в отношении передачи сигнала с участием инсулинового рецептора человека.

Твердые формы ингибитора ttk // 2753905

Изобретение относится к сокристаллу соединения (I) и молекулы сокомпонента,где молекула сокомпонента представляет собой фосфорную кислоту, при этом сокристалл представляет собой гидрат и молярное соотношение соединение (I):фосфорная кислота:Н2О в указанном сокристалле составляет 1:2:1/2, к способам получения сокристалла и фармацевтическим композициям, содержащим указанный сокристалл.

Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре // 2717799

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую.

Способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука // 2347859

Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля.

Способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе // 2332529

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов.

Способ выращивания монокристаллов йодата лития из раствора при непрерывном вытягивании растущего кристалла за пределы ростовой камеры // 2291919

Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации // 1605584

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов. .

Способ получения кристаллов // 1535077

Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3). .

Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации // 1503346

Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области. .