Выпариванием растворителя (C30B7/02)

Отслеживание патентов класса C30B7/02
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B7/02                     Выпариванием растворителя(16)

Твердые формы ингибитора ttk // 2753905
Изобретение относится к сокристаллу соединения (I) и молекулы сокомпонента,где молекула сокомпонента представляет собой фосфорную кислоту, при этом сокристалл представляет собой гидрат и молярное соотношение соединение (I):фосфорная кислота:Н2О в указанном сокристалле составляет 1:2:1/2, к способам получения сокристалла и фармацевтическим композициям, содержащим указанный сокристалл.

Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре // 2717799
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую.
Способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука // 2347859
Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля.

Способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе // 2332529
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов.

Способ выращивания монокристаллов йодата лития из раствора при непрерывном вытягивании растущего кристалла за пределы ростовой камеры // 2291919
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов.

Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации // 1605584
Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов.

Способ получения кристаллов // 1535077
Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3).

Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации // 1503346
Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области.

Способ выращивания кристаллов -liio3 // 1309621
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике. .

 // 353469
 
.
Наверх