Управление или регулирование (C30B19/10)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2110)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)

C30B19 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев(65)

C30B19/10 Управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05)(1)

Способ выращивания в вертикальном реакторе многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек // 2698669

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ). Способ основан на процессах растворения и кристаллизации полупроводниковых и металлических материалов из растворов-расплавов легкоплавких металлов.

Способ определения скорости роста эпитаксиального слоя s @ с // 1590484

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано для изучения процесса роста эпитаксиальных слоев. .