Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев (C30B19)

Отслеживание патентов класса C30B19
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B19                 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев(65)

Способ формирования пустот в ионных кристаллах // 2703254
Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr.

Способ выращивания в вертикальном реакторе многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек // 2698669
Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ).

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.

Способ выращивания монокристаллической пленки febo3 на диамагнитной подложке // 2616668
Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdxhg(1-x)te p-типа проводимости // 2602123
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Текстурированная подложка для формирования эпитаксиальной пленки и способ ее изготовления // 2575286
Изобретение относится к текстурированной подложке для выращивания на ней эпитаксиальной пленки оксидного сверхпроводящего материала для использования в различных типах электросилового оборудования.

Магнитооптический материал // 2522594
Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники, в частности к прикладной магнитооптике, и может быть использовано для записи информации как в цифровом, так и в аналоговом режимах.

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур // 2515316
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур.
Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2489533
Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия.

Способ выращивания монокристаллов нитрида галлия // 2477766
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе.
Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия // 2369669
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации.

Подложка для эпитаксии (варианты) // 2312176
Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств.

Преобразователь высокоэнергетических частиц и способ получения пленки // 2302015
Изобретение относится к области выращивания эпитаксиальных монокристаллических пленок для измерения рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений и промышленно применимо при изготовлении детекторов ядерных частиц, нейтронов, - и -частиц, -квантов, сцинтилляционных и рентгеновских экранов.
Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2267565
Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов.

Подложка для выращивания эпитаксиальных пленок и слоев нитрида галлия // 2209861
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации.

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2209260
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации.

Устройство для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии // 2089679
Изобретение относится к устройству для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии и более конкретно, к устройству для получения путем жидкофазной эпитаксии монокристаллических оксидных пленок, таких как монокристаллические пленки магнитного граната, пригодные для применения в устройствах на магнитостатических волнах, ниобата лития, пригодные для применения в оптических устройствах.

Материал, стойкий к потокам -квантов // 2072005
Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, радиационной физике твердого тела и может быть использовано при конструировании элементов памяти и логики на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), применяющихся в полях g-излучений.

Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений // 2064541
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм.

Эпитаксиальная феррит-гранатовая структура // 2061112
Изобретение относится к монокристаллическим материалам, в частности к эпитаксиальным феррит-гранатовым структурам (ЭФГС) на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ), и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных планарных сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ).

Устройство для жидкостной эпитаксии многослойных структур // 2034938
Изобретение относится к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных структур, используемых для производства полупроводниковых приборов.

Способ получения мультикристаллов кремния // 2026895
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов).

Способ получения структуры (c) // 1774673
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано, в частности, при создании фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 1,85-2,1 мкм.

Способ выращивания карбидкремниевых р-п-структур политипа 6н // 1726571
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к созданию карбидкремниевых р-п-структур, которые используют для создания высокотемпературных приборов: выпрямительных диодов, стабилитронов, полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом, и позволяет повысить выход годных структур.

Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1707090
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. .

Способ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия // 1705425
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений А В и может быть использовано при производстве электролюминесцентных структур.

Способ очистки платинового тигля // 1678921
Изобретение относится к технологии выращивания пленок феррит-гранатов и может быть использовано в производстве магнитооптических изделий на их основе.

Способ получения магнитнооптической структуры // 1675409
Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов.

Способ получения полупроводниковых структур на основе соединений а @ в @ // 1659536
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур .

Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1650798
Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых структур, в частности для создания сверхрешеток.

Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур // 1638219
Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии.

Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1638218
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев.

Способ получения эпитаксиальных пленок феррит-гранатов // 1633031
Изобретение относится к росту кристаллов и может быть использовано для получения материалов электронной техники.

Способ выращивания пленок теллурида цинка // 1624067
Изобретение относится к технологии материалов твердотельной электроники и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных устройств.

Способ получения феррогранатовых структур // 1604871
Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники.

Способ получения эпитаксиальных слоев кремния // 1604870
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента.

Способ выращивания эпитаксиальных слоев // 1599448
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии.

Способ выращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов // 1597401
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств.

Способ определения скорости роста эпитаксиального слоя s @ с // 1590484
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано для изучения процесса роста эпитаксиальных слоев.

Способ жидкофазной эпитаксии методом испаряющегося растворителя // 1581786
Изобретение относится к металлургии полупроводников, а именно к получению однои многослойных полупроводниковых эпитаксиальных структур для полупроводниковой промышленности, и позволяет улучшить морфологию выращиваемых структур, получить локальную эпитаксию, а также получить резкие переходы между выращиваемыми слоями.

Способ получения кремниевой структуры // 1578238
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов и интегральных схем.
 
.
Наверх