Сегнетоэлектрический накопитель информации
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержаший подложку с нанесенньми на ее поверхность электродами строк, элементы памяти, выполненные в виде пластин сегнетоэлектрической керамики, и электроды столбцов, перпендикулярные электродам строк,отличающийся тем, что, с целью повышения надежное-ти за счет уменьшения механической связи между эл леитами памяти, пластины сегнетоэлектрической керайики размещены на электродах строк, а , электроды .столбцов нанесены на пластины сегнетоэлектрической кергшики . и прдлож-ку.Q . . в 4ib 00 | 4i сд
СОЮЗ СОВЕТСКИХ . СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ . РЕСПУБЛИК
„„SU„„1043745
1(51), 6 11 С 11/22
> .
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
f, ß
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. (21) 34 41537/1 8-24 (22) 24. 05. 82 (46) 23. 09.83. Бюл. У 35 (72) K. Г. Самофалов, В.М. Палей, Я.В. Мартынюк, Ю.П. Пирогов, Ю.Н. Рухлядев, В.М. Сапожников и Ю.И. Шпак (53) 681.327(088. 8) М \
° °
° °
ЪФ (56) 1, Авторское свидетельство СССР
9 360002 . G 11 С ll/22, 1976.
2. Патент СЬЖ В 3537079, кл. С l l С 11/22, 1976 ..
3. Крайзмер Л.П ° Устройства хранения дискретной информации. Энергия, 1969, с. 188-195 (прототип). (54) (57} СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИИ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержаший подложку с нанесенными на ее поверхность электродами строк, элементы памяти, выполненные в виде пластин сегнето- . электрической керамики, и электроды столбцов, перпендикулярные электродамстрок, отличаюшийся тем, что, с целью повьзаения надежнос-ти за счет уменьшения механической связи между элементами памяти, пластияы сегнетоэлектрической керамики размешены на электродах строк, а электроды .столбцов нанесены на пластины сегнетоэлектрической керамики . и подложку. Ф 9
1043745
Составитель В. Костин
Техред С, и .иГунова Корректор И. Ватрушкииа
Г
Редактор Н. Лазаренко
Заказ 7348/57 Тираж 594 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо. делам изобретений и открытий
113035, Москва, _#_-35, Раувская иаб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин.
Известна сегнетоэлектрическая матрица, содержащая пластину из сегнетоэлектрика, расположенные на пластине экранирующие, разрядные и перпендикулярные им числовые влек троды и электрод возбуждения 1).
Известна также ферроэлектрическая !О матрица памяти, в которой используется пластина из ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи-считывания (23. 15
Недостатками этих матриц является акустическая связь между соседними элементами, сложные конструкция и технология изготовления.
Наиболее близкой по технической 2О сущности к изобретению является сегнетопьезокерамическая матрица запоминающих элементов с неразрушаюшим чтением, содержащая активную пьезопластину, взаимно перпендикуляр-75 .ные числовые и разрядные шины, расположенные.с двух сторон активной пьезопластины 3 .
Недостатком известной матрицы является низкая надежность иэ-за акустических помех, обусловленных моно- . яитной конструкцией запоминающей матрицы.
Целью изобретения является .повыаение надежности накопителя за счет уменьшения механической связи между элементами памяти.
Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом накопителе информации, содержащем подложку с нанесенными на ее поверхность электродами строк, элементы памяти, выпоЛненные в виде пластин сегнетоэлектрической керамики, и электроды столбцов, перпендикулярные электродам строк, .пластины сегнетоэлектрической керамики размещены на электродах строк, а электроды столбцов нанесены на пластины сегнетоэлектрической керамики и подложку.
На чертеже показано предлагаемое устройство.
Устройства сОдержит подложку 1, электроды 2 строк, электрОды 3-столбцов и пластины 4,сегнетоэлектрической керамики, образующие элементы .
5 памяти.
Устройство работает следующим образом, Запись информации осуществляют в пластины 4. При записи "1 к электродам 2 и 3 прикладывают импульс напряжения поляризации, например, положительной полярности и поляризуют пластины 4. При записи 0 производят деполяризацию пластин 4.
При считывании информации к электродам 2 и 3 прикладывают. Нмпульсы напряжения считйвания и храним ею информацию определяют по наличию или отсутствию пьезотока, протекающего:. через элемент 5.
Изобретение позваляет существеннр повысить надежность сегнетозлектрического накопителя информации за счет уменьшения механической связи между элементами памяти.
