Запоминающее устройство

 

Союз Советских

Социалистических республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 05,02.80 (2! ) 2879924/18-24 (5I)M. Кл.

4 11 С 11/22 с присоединением заявки М

Гооудорстоеииый комитет (23) Приоритет (53) УДК 881 .327(088.8) ла делаи изобретений и открытий

Опубликовано 30.11.81. Бюллетень И 44

Дата опубликования описания 01.12.81 (72) Авторы изобретения

ый, В. А. Завадский, Ю. П. Заика, В. И.. К. Г. Самофалов и В. (71) Заявитель Киевский ордена Ленина политехнически им. 50-летия Великой Октябрьской сопи (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к запоминаю шим устройствам и может быть использовано в цифровых вычислительных уст ройствах, работаюших в недвоичных системах счисления с фазоимпульсным принципом представления информации.

Известно запоминаюшее устройство, содержашее адресный и числовой сдвигаюшие регистры, соединенные между собой поразрядно в соответствии с численным о значением хранимой информации, причем к установочным входам этих регистров подведена шина установочного сигнала, а к входам сдвига подключены элементы

И, первые входы которых связаны с ши15 ной тактовых импульсов, а к их-вторым входам подведен выходами триггер, а к информационному входу адресного регистра и ко входу синхронизации числового

l регистра подведены соответственно адресная и числовая шины t,l) .

Это устройство имеет сложную схему, обусловленную большим количеством ло»гических элементов и внутренних связей.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сушности является запоминаюшее .устройство, хранящее информацию,,представленную более, чем двумя уровнями, и выполненное в виде пластины из сегнетоэлектрического материала, обладаюшего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, на одну из сто;рон которой нанесен первый электрод возбуждения и параллельно ему - выходной электрод, на противоположную сторону пластины против первого электрода возбуждения нанесен второй эжктрод возбуждения, а против выходного электрода нанесены электроды записи, число которых равно числу устойчивых состояний, и столько же вспомогательных электродов, причем сегнетоэлектрический материал пластины, расположенный в зоне перекрытия вспомога тельных электродов и выходного электрсгда, поляризован в одном направлении 12) Однако это устройство является сложным и предназначено для хранения только

6049

35

3 Ь8 одного разряда многозначительного числа, что сужает область применения устройства.

Цель изобретения - упрощения устройства и расширение области его применения за счет обеспечения возможности хранения в нем многоразрядных чисел.

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающее устройство, содержащее сегнетоэлектрическую пластину, на одну из сторон которой нанесен электрод возбуждения, соединенный с входной шиной, и выходные шины, введены выходные эжктроды по числу разрядов, нанесенные на . одну из сторон сегнетоэлектрической пластины, расположенные параллельно электроду .возбуждения и на: расстояниях от него кратных длине волны механической деформации, и соединенные с выходными шинами, и общий электро, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пластины.

На фиг. 1 изображена функциональная схема запоминающего устройства; на . фиг. 2 - временная диаграмма, иллюстрирующая его работу (так как формирователь сигналов считывания, усилите ь считывания, формирователи сигналов записи, являются неотьемжмыми узлами акустоэлектронных приборов, то на фиг.1 они не указаны).

Запоминающее устройство содержит сегнетоэлектрическую пластину 1 из материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. С одной стороны пластины 1 нанесен электрод 2 возбуждения, соединенный с входной шиной 3. Параллель-. но электроду 2 возбуждения и на расстояниях 1) от него нанесены выхощ ые эжктроды 4, связанные с выхо шыми шинами

5 (где i =1, 2, 3,... К), 7 -длина волны механической деформации, распространяющейся в обьеме пластины 1; Коснование системы счисления). На противоположную сторону пластины 1 нанесен общий электрод 6, соединенный с шиной

7 нулевого потенциала. Поляризация сегнетоэлектрического материала между эжктродом 2 возбуждения. выходными электродами 4 и общим электродом 6 создается приложением эжктрического напряжения к этим электродам и в процессе эксплуатации не изменяется. Коли чество выходных шин 5 соответствует разрядности q хранимого в запоминающем устройстве числа, а цифра в каждом разряде определяется расстоянием от эжктрода 2 возбуждения до поляризованного выходного электрода 4. Возможные рас4

Положения выходных эжктродов 4 на п >верхности пластины 1 при хранении в запоминающем устройстве различных К-ичных чисел на фиг..1 показаны пунктиром, а заштрихованные выходные электроды 4 при К 10 соответствуют числу 10...9., Работу предлагаемого запоминающего . устройства рассмотрим при прямом кодировании числовой информации и при tt =3, t0 К=10.

Запись информации в запоминающее устройство производится путем приложения напряжения поляризации между выходными электродами 4, соответствующими записываемому числу, и общим электродом 6. В результате в зонах перекрытия выбранных выходных электродов 4 с общим электродом 5 установится значение остаточной поляризации, а расстояние этих эжктродов 4 от электрода 2 возбуждения однозначно соответствует цифрам в разрядах.

Для считывания информации из запоминающего устройства по входной шине

3 на электрод 2 возбуждения поступает импульс напряжения, опережающий нулевую фазоимпульсную константу на один такт (поз. 1 на фиг. 2). При этом в силу обратного пьезоэффекта возникает волна механической деформации, распространяющаяся в обьеме пластины . 1 от электрода 2 возбуждения. При достиже- нии поляризованных зон волна механической деформации в силу прямого пьезоэффекта индуцирует на соответствующих выходных электродах 4, электрические сигналы, поступающие на выходные шины 5 устройства (поз. 2, 3 и 4 на фиг. 2). фазовый сдвиг сигналов на выходных шинах 5 по отношению к нулевой опорной последовательности соответствует цифf рам в разряде хранимого числа.

Для записи в известном устройстве

K-ичной цифры требуется К электродов записи и К электродов компенсации, т.е.

2К электродов. Для записи такой же цифры в предлагаемм устройство требу ется всего лишь один эжктрод, распо ложенный на опредежнном расстоянии от электрода возбуждения. B связи с этим в предлагаемом устройстве требуется меньше источников поляризации для записи цифры одного разряда. Кроме того, в предлагаемом устройстве хранится одно многоразрядное число в многозначном алфавите, а в известном устройстве всего лишь один разряд такого числа. Таким образом, предлагаемое устройство

886049

° ° °

° ° а

° ° ° является более простым, экономичным, надежным, чем известное устройство и обладает большей областью применения.

Формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащее сегнетоэлэктрическую пластину, на одну из сторон которой нанесен электрод возбуждения, соединенный с входной шиной, и выходные шины, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью упрсвцения н расширения области применения устройства за счет обеспечения возможности хранения в нем многоразрядных чисел, оно содержит выходные электроды по чисду ра . рядов, нанесеннйе на одну из сторон сегнетоэпктрической пластины, располо женные параллельно электроду возбужде а ния и на расстояниях от него кратных длине волны механической деформации, и соединенные с выходными шинамн, и об щий эжктрод, нанесенный на другую сто» рону сегнетоэлактрической пластины.

14 Источники информации принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

¹ 627542, кл. 9 11 С 17/00, 1976.

2. Авторское свидетельство СССР

)4 N 2615504/l8-24, кл. ф ll С 11-22, 1978 (прототип).

886049

У 0123ФХ678901834 К67ВЭ Î 1 234

Составитель В. Рудаков

Редактор Ю. Ковач Техред М. Надь Корректор М. Шароши

Заказ 10566/80 Тираж 648 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35„Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде

Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией

Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа

Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству
Наверх