Сегнетоэлектрический накопитель информации

 

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий последовательно расположенные первую пьезокергшическую пластину, экрани|рующий электрод и вторую пьезокерамйческую пластину, причем на внешней поверхности первой пьезокерамической пластины нанесены разрядные электроды , отличающийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя, на внешнюю поверхность .второй пьезокерамической пластины нанесены электроды общего потенциала , подобные по форме разрядным электродам и коъшланарныаим, а в пьезокерамических пластинах между . электродами выполнены углубления. V)

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

09) (И) 9(59 0 . 11 С 11 22

ОГ1ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

f10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3372839/18-24 (22),11.11.81 (46) 23.04.83. Бюл.915 (72) К.Г. Самофалов, A.À. Божко, А.A. Верба, В.И. Кит,- Е.И. Кудренко, И.B. Мартынюк, В.Г. Полковиченко и Ю.И. Шпак (71) Киевский ордена Ленина политехнический институт им.50-летия Великсй Октябрьской социалистической революции (53) 681.327(088.8)

:(56) 1. Патент США 9 3462746, кл. G 11 8 9/02, оцублик.. 19;6.

2 ° Авторское свидетельство СССР

9 514340, кл. G 11 С 11/00, 1980.

3. Патент Chil. Ф 3543258, |кл.. G 11 С 11/22, опублик. 1979

: (прототип ) .

:(54) (57) СЕГНЕТОЗЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий последовательно расположенные первую пьезокерамическую пластину, экрани1рующий .электрод и вторую пьезокерамическую пластину, причем на внешней поверхности первой пьезокерамической пластины нанесены разрядные электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя, .на внешнюю поверхность ,второй пьезокерамической пластины нанесены электроды. общего потенциала, подобные по форме разряднык электродам и компланарнывим, à B пьезокерамических пластинах между электродами выполнены углубления.

1014034

Составитель В. Костин

Редактор Г. Безвершенко ТехредМ.Гергель Корректор А.Тяско

Заказ 3028/62 Тираж 592 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

° В .Ю

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминакщих устройствах.

Известно керамическое Ферроэлектрическое запоминающее устройство, которое имеет запоминающие элементы и соединенные с ними элементы возбуждения 1).

Известен также пьезокерамический элемент памяти, содержащий две пластины, соединенные между собОй по 10 экранирующему электроду, на одну из которых нанесен сплошной общий ,электрод, а на другую нанесены разрядные электроды различной площади Р21 15

Недостатком этих устройств является неудовлетворительная надежность.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является накопитель информации, содержащий две соединеннйе "между собой пластины, на одной из которых нанесен общий электрод, а на другой — разрядные электроды |.3).

Недостатком известного устройст- 25 ва является неудовлетворительная надежность, обусловленная наличием как электрйческих, так и акустичес ких связей между частями накопителей информации.

Цель изобретения - повьыение надежности сегнетоэлектрического вако . пителя информации.

Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом накопителе информации, содержащем послеЗ довательно расположенные первую пьеэо керамическую пластину, экранирующий электрод и вторую пьезокерамическую пластину, причем на внешней поверхности первой пьезокерамической пластины нанесены разрядные электроды, на внешнюю поверхность второй пьезокерамической пластины нанесены элект-, роды общего потенциала, подобные по Форме разрядным электродам и компланарные им, а в пьезокерамических. пластинах между электродами выполнены углубления.

На чертеже показан предлагаемый сегнетоэлектрический накопитель инФормации, поперечный разрез.

Накопитель содержит две пьезокерамические пластины 1 и 2, соединен ные по экранирующему электроду 3.

На пластину 1 нанесены разрядные электроды-4, а на пластину 2 — электроды 5 общего потенциала. Электроды

4 и 5 имеют равные площади и расположены компланарно. Толщина пластин

1 и 2 под электродами 4 и 5 больше, чем в, области между электродами 4 или 5.

НакопитЕль работает следующим образом.

Запись информации осуществляется приложением напряжения между электродом 3 и электродами 4. Направление . поляризации участков определяет за-. писанную информацию. При считывании информации напряжение прикладывают или между электродами 3 и 5, или между электродами 3 и 4, а сигнал считывания, снимают между электродами

3 и 4 или 3 и 5 соответственно.

Изобретение позволяет уменьшить электрическую и акустическую связи между частями накопителя, повысив тем самым его надежность.

Сегнетоэлектрический накопитель информации Сегнетоэлектрический накопитель информации 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде

Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией

Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа

Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству
Наверх