Сегнетоэлектрический накопитель информации

 

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий подложку с нанесенным на нее активным слоем сегнетоэлектрического материала г вэаимноортогоиальные шины -строк и столбцов, причем шины строк нанесены на активный олой сегнетоэлектрического материала, о т л и.ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения-надежности накопителя, подложка выполнена из полупроводникового материала одного кэ типов проводимости , а вгаюз стробцов выполнены в виде диффузионных областей другого типа проводимости в подложке. S Кд 4 СО 00 о

. COO3 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

3(59 G 11 С 11/гг

Ф

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ "

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ 0ССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬП"МЮ

i ч.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ие. (21) 3392441/18-24

{22) 16.02.82 (46) 23 ° 06.83. Бюл. Р 23 (72) К.Г.Самофалов, Я.В.Иартынюк, Ю,П.Пирогов, Ю.Н.Рухлядев, В.И.Сайожников, A.Ä.Õàðëàìîâ и IO.È.Øïàê (71) Кйевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия

Великой Октябрьской социалистической революции (53) 681, 327 (088. 8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В .360002, кл. Q 11 С 11/22, 1971.

2. Патент США 9 3537079, кл. 5 11 С 11/22, опублик. 1968.

3. Патент США В 3462746, кл. G 11 С 11/22, опублик. 1967. (прототип)., sU„„986 А (54) (57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЯ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий подложку с нанесенным на нее активным слоем сегнетоэлектрического материала,. взаимноортогоиальные шины-строк и столбцов, причем шины строк нанесены на активный слой се нетоэлектрического материала, о т л и.ч а— ю шийся тем, что, с целью повышения .надежности .накопителя, подложка выполнена из полупроводникового материала одного из .типов проводимости, а шины стробцов выполнены в виде диффузионных областей другого типа проводимости в подложке, 1024986

Составитель В. Костин

Редактор Н..Пушненкова Техред В.Далекорей Корректор В.Гирняк

Заказ 4406/49 Тираж 594 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 I филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах.

Известна .сегнетопьезокерамическая матрица, содержащая пластину иэ сегнетоэлектрика, расположенные на 5 пластине экранирующие, разрядные H перпендикулярные им числовые электро-. ды и электродЫ возбуждения (1) .

Известна также ферроэлектрическая матрица памяти, в которой использует- 10 ся пластина из ферроэлектрика с нанесенными на 6е противоположные стороны двумя парами электродов записисчитывания (21 °

Недостатком этих матриц является 15 сложная конструкция.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее подложку, активный слой сегнетоэлектрика, системы управляющих шин,первые из которых размещены на поверхности активного . слоя j3) .

Недостатком известного устройства является неудовлетворительная надежность, обусловленная сложной системой шин для управления записью . и считыванием информации.

Целью изобретения является повышение надежности сегнетоэлектрического накопителя информации. 30

Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом накопителе информации, содержащем подложку с нанесенным на нее активным слоем сегнетоэлектрического матери- . 3? ала, взаимноортогональные шины строк и стрлбцов, причем шины строк нанесены на активный слой сегнетоэлект-.

Ъ рического материала, подложка выпол иена из полупроводникового материала одного из типов проводимости, а шины столбцов выполнены в виде диффузионных областей другого типа проводимости в подложке.

На фиг. 1 представлен сегнето- . электрический накопитель информации на фиг. 2 — то же, при различных типах проводимости материала подложки, разрез.

Накопитель содержит полупроводниковую подложку 1, изготовленную, например, из кремния. В подложке вы« полнены шины 2 столбцов диффузией материала другого типа проводимости.

На подложку 1 нанесен активный слой

3 сегнетоэлектрического материала, на который нанесены шины 4 строк.

Пересечение шин 2 и 4 образует запоминающий элемент 5.

Накопитель работает следующим об= разом.

Запись информации осуществляют в слое 3. При записи "1" к шинам 2 и 4 .прикладывают напряжение и поляризуют участок слоя 3 в пересечениишин .2 и 4. При записи "0" производят деполяриэацию участка слоя 3 в пересечении шин 2 и 4;

При считывании информадии к шинам

2 и 4 прикладывают напряжение считы11 вания, и хранимую информацию определяют по наличию пьезотока, протекающего через элемент 5.

Выполнение накопителя в соответствии с изобретением позволяет существенно повысить надежность устройства.