Способ формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке

 

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПАРАЛЛЕЛЬНОЙ ПОЛОСОВОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МАГНИТООДНООСНОЙ ПЛЕНКЕ, основанный на воздействии на пленку переменным магнитным полем, направленным перпендикулярно плоскости пленки, отличающийся тем, что, с целью повьшения быстродействия способа, после воздействия на пленку переменным магнигным полем, направленным перпендикулярно плоскости пленки, плоскость пленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьшают амплитуду переменного магнитного поля до нуля.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СПИ Р

РЕСПУБЛИК (19) 01) зла G 11 С 11/14 (21) 3644036i24-24 (22) 23.09.83 (46) 07..11.84 Бюл. У 41 (72) В.Г.Епанчинцев, N.Ñ.Kàòñoí, Н.Н.Силантьев и И.В.Шелухин (53) 681.327.66(088 8) (56) 1. Лисовский Ф.В. Физика цилиндtt рических магнитных доменов.М., Советское радио", 1979, с. 128-129.

2. J. Арр1. Phys., ч. 51, Ф 10, 1980. р.р. 5568-70 (прототип). (54)(57) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПАРАЛЛЕЛЬНОЙ ПОЛОСОВОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ

В МАГНИТООДНООСНОЙ ПЛЕНКЕ, основанный на воздействии на пленку переменным магнитным нолем, направленным перпендикулярно плоскости пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия способа, после воздействия на пленку переменным магии .ным полем, направленным перпендикулярно плоскости пленки, плоскость пленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьшают амплитуду переменного магнитного поля до нуля.

1 1123060 2

Изобретение относится к автомати; ке и вычислительной технике и может быть использовано, в частности, при контроле параметров одноосных пленол в процессе производства запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД).

Наиболее точные и производительные измерения ширины полосового домена, периода страйп-структуры и ха- 10 рактеристической длины материала получают путем измерения .предварительно сформированной параллельной доменной структуры с шириной полосы, равной ширине полосы лабиринтной, 15 доменной структуры полностью размагниченной пленки.

Известен способ формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, ко" 20 торый заключается в том, что образец пленки нагревают до температуры, больше температуры Кюри или Нееля, и затем охлаждают до нормальной тем- пературы. В результате получают плен-25 ку со структурой в виде прямых параллельных полос 13

Однако при этом способе образование параллельных полосовых доменов обусловлено дефектностью пленки. Кро" 30 ме того, формирование структуры этим способом малопроизводительно

1из-за значительного времени нагрева и последующего охлаждения пленки. !

Наиболее близким техническим ре- 35 шением к изобретению является способ формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, который заключается в том, что пленку помещают в магнитное 10 поле постоянного тока, направление которого параллельно плоскости пленки, и одновременно прикладывают перпендикулярно плоскости пленки магнитное поле переменного тока, амплитуда которого убывает до нуля, убирают постоянное магнитное поле, затем прикладывают перпендикулярно плоскости пленки дополнительное магнитное

-поле переменного тока, амплитуду и 50 продолжительность действия которого соответствующим образом подбирают(2).

Однако, известный способ имеет низкое быстродействие формирования параллельной полосовой доменной струк 55 туры. Это объясняется тем, что в ре-, . зультате воздействия на пленку постоянным параллельным полем и перпендикупярным полем переменного тока с убывающей до нуля амплитудой, ширина прямых полосовых доменов отличается от ширины доменов в полностью размагниченной пленке. Для получения достоверных данных о параметрах пленки необходимо приложить дополнитель.ное магнитное поле, величину и продолжительность действия которого необходимо подбирать экспериментальным путем."

Цель изобретения — повьппение быстродействия способа формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, основанному на воздействии на пленку переменным магнитным полем, направленным перпендикулярно плоскости пленки, после воздействия на пленку переменным магнитным полем плоскость пленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьша-. ют амплитуду переменного магнитного поля до нуля.

На чертеже изображено устройство для реализации предлагаемого способа.

Устройство для формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке содержит соленоид 1, вставку 2, держатель 3 с кассетой 4, задающий гене1ратор 5 тока, образец б.

В соответствии с предлагаемым способом формирование параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке осуществляют следующим образом.

Пленку помещают в переменное магнитное поле, направление которого

1 перпендикулярно к плоскости пленки.

Под воздействием этого поля происходит перемагничивание доменной структуры. Затем пленку поворачивают до

4t тех hop, епока ее плоскость не будет параллельна направлению переменного магнитного ноля. Во время поворота пленки на нее действуют две составляющие поля — нормальная и тангенциальная. Причем во время поворота значение амплитуды нормальной составляющей изменяется от максимального до нуля, а значение тангенциальной— наоборот.

Составитель Ю.Розенталь

РедактоР H.ÏÓøíåíêoâà ТехРед З.Палий Корректор М,.Леонтюк

Заказ 8147/41 Тираж 574 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãoðoä,.ул. Проектная, 4 з 1123О

После поворота пленки она оказывается под действием параллельного плоскости переменного магнитного поля, амплитуда которого с этого момента начинает убывать до нуля. Воздействие планарного магнитного поля позволяет ориентировать доменную сгруктуру вдоль этого поля, а убывание амплитуды поля полностью размагничивает пленку. 10

В результате этих операций в пленке образуется параллельная полосовая доменная структура с шириной полосы, равной ширине полосы лабиринтной структуры в полностью размагниченной пленке.

Устройство для формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, предназначенное для реализации предлагае-20 мого способа, работает следующим образом.

Образец 6 магнитоодноосной пленки помещается в кассету 4, которая в свою очередь размещается в держате- 25 ле 3. Держатель 3 по направляющим подается внутрь соленоида 1. Благодаря тому, что кассета с образцом может поворачиваться относительно оси держателя 3 и наличию внутри соленои-30 да вставки, кассета с образцом плен1 ки располагается перпендикулярно оси соленоида. С помощью генератора 5 тока в соленоиде создается переменное магнитное поле с амплитудой большей, чем намагниченность насыщения

60 4 магнитоодноосных пленок. Затем держатель частично выводится из соленоида, чтобы кассета расположилась параллель«о оси соленоида, после чего с помощью генератора 5 уменьшается амплитуда переменного магнитного поля до нуля.

С помощью данного устройства бып реализован предлагаемый способ формирования доменной структуры. При частоте переменного магнитного поля

50 Гц предлагаемый способ позволяет повысить быстродействие формирования параллельной структуры в 60-120 раз по сравнению с способом 1 и в

8-10 раз по сравнению с известным способом Г21.

Эффективность предлагаемого способа выражается в повышении быстродействия формирования параллельной доменной структуры, так как ьтпадает необходимость в трудоемкой операции подбора экспериментальным путем значений амплитуды и времени действия дополнительного переменного магнитного поля. Кроме того, предлагаемый способ исключает применение постоянного магнитного поля, что упрощает устройство формирования ° Предлагаемый способ позволяет повысить точность и быстродействие контроля размеI ров доменной структуры и может быть эффективно использован при формировании дифракционной решетки в магнитоодноосных пленках.