Способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ, основанный на нанесении на плоскопараллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала и последующем разделении пластины на подобные части, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготовь ления элементов, нанесение на плоскопаралллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала осуществляют в направлении наибольшей скорости бокового движения доменных стенок в сегнетоэлектри рском кристалле. (Л с

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

4 (5Ц G 11 С 11/22

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ, СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPbfTMA (21) 3590584/18-24 (22) 10.05.83 (46) 07.01.85. Бюл. 1Ф 1 (72) Л.И. Донцова, Л.Г. Булатова, Н.А. Тихомирова и Л.А. Шувалов (71 Волгоградский инженерно-строительный институт (53) 681.327(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 488257, кл. G 11 С 11/22, 1976.

2. Барфут Дж. и Тецлор Дж. Полярные,диэлектрики и их применение. .М. "Мир", 1981, с. 327 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ, основанный на нанесении на плоскопараллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала и последующем разделении пластины на подобные части, -отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготов-, ления элементов, нанесение на плоскопаралллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала осуществляют в направлении наибольшей скорости бокового дв .жения доменных стенок в сегнетоэлектрическом кристалле.

620

Составитель В.Костин

Техред 3.Палли, Корректор Е.Сирохман

Редактор Р.Цицика

Заказ 9954/41

Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., ц. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

1 1133

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств.

Известен способ изготовления эле. ментов памяти, основанный на нанесении на сегнетоэлектрическую пластину числовых, общих и разрядных электродов f1) .

Недостатком такого способа явля- 10 ется низкое качество изготовления элементов из-за различного нанесения полос электродов, не учитывающего анизотропию свойств сегнетоэлектрического материала. 15

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти, включающий разделение кристалла на плоско- 20 параллельные пластины, нанесение на эти пластины токопроводящих полос в виде ортогональных строк и столбцов и членение пластин с нанесенными электродами на подобные 25 части (2j .

Недостатком известного способа является низкое качество изготовления, не учитывающее анизотропию характеристик переключения, что приводит к разбросу параметров элементов.

Цель изобретения — повышение ка" чества изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти.

Поставленная цель достигается тем, 35 что согласно способу изготовления сегнетоэлектрических элементов па-мяти, основанному на нанесении на плоскопараллельную пластину сегнето- электрического кристалла полос прово-40 дящего материала и последующем разделении пластины на подобные части, нанесение на плоскопараллельную пластину сегнетоэлектрического крис. талла полос проводящего материала осуществляют в направлении наибольшей скорости бокового движения до-. менных стенок в сегнетоэлектрическом кристалле.

Способ реализуется следующим образом.

По габитусу сегнетоэлектрического кристалла определяют направление сегнетоэлектрической оси b и перпендикулярное ей направление 001 кристаллографической оси с . Разделяют кристалл на плоскопараллельные пластины нужной толщины таким обра зом, чтобы их базовые плоскости были перпендикулярны сегнетоэлектрической оси b, находят направление

102, соответствующее наибольшей скорости бокового движения доменных стенок в кристалле. Нанесение токопроводящих полос производят в этом направлении и разделяют пластину на подобные части.

Направление наибольшей скорости движения доменных стенок находят известным способом переключения кристаллов электрическим полем при визуализации динамики доменов с помощью нематических жидких кристаллов или сканирующей электронной микроскопин.

Нанесение токопроводящих полос в направлении наибольшей скорости движения доменных стенок позволяет включать в процесс переполяризации максимальное число зародышей доменов и использовать анизотропию скорости их бокового роста, значительно повысить тем самым качество изготовления элементов памяти.