Способ получения монокристаллов in sb <bi>
Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./мин, а расплавленную зону перемещают со скоростью 0,2-3,8 мм/ч.
Похожие патенты:
Изобретение относится к квантовой электронике
Способ получения высокоомного кремния // 1331140
Кассета для диффузии // 1318618
Изобретение относится к полупроводниковой технике,может быть использовано для проведения процессов диффузии в полупроводниковые пластины из плоскопараллельного источника в потоке газа-носителя и позволяет повысить производительность и увеличить срок службы пластин источника
Способ получения электропроводного алмаза // 1137788
Способ обработки материалов // 1055784
Способ получения легированного кремния // 1005511
Изобретение относится к способам выращивания эпитаксиальных слоев из газовой фазы и может быть использовано в электронной промышленности при создании светоизлучающих приборов на основе нитрида галлия, работающих во всей видимой области спектра
Способ выявления неоднородностей // 191981
