Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава

Авторы патента:

C30B11/02 - без использования растворителей (C30B 11/06 имеет преимущество)

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R₁, R₂}, где R₁ - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с; R₂ - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с, удовлетворяющие выражениям где G - осевой градиент температуры, К/м; m - наклон линии ликвидуса, безразмерная величина; C_* - концентрация в объеме раствора, ат.%; D - коэффициент диффузии избыточного компонента, м²/с;
K - равновесный коэффициент распределения, безразмерная величина;
- толщина диффузионного пограничного слоя, м;
C_е - состав эвтектики, ат.%.

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно органических кристаллов особо чистых веществ, и позволяет повысить сте пень чистоты кристаллов и увеличить производительность процесса

Способ получения кристаллов селенида цинка // 1468023

Изобретение относится к выращиванию (фисталпов и позволяет получить кристаллы диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 32 10 см на длине волны 10.6 мкм

Способ получения щелочногалоидных кристаллов // 1431392

Изобретение относится к техно-, логни получения материалов для изготовления оптических элементов ИК- техники и позволяет упростить способ получения кристаллов и удалить из камеры .токсичные и агрессивные гйзы Способ получения щелочногалоидных кристаллов включает нагрев Исходного сьфья в герметичной кймере под давлением инертного газа 1-2 атм до расплавления, снижение давления инертного газа до 0,01-0, 2 атм и выращи- ;йание кристалла

Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия // 1431391

Изобретение относится к способам получения полупроводникового материала, может быть использовано в электронной технике, обеспечивает уменьшение плотности дислокаций, исключение двойников и упрощение способа

Способ получения сцинтилляционного материала // 1429601

Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного материала на основе щелочНо-галоидных монокристаллов , может быть использовано в химической промышленности и обеспечивает улучшение спектрометрических характеристик материала за счет снижения концентрации продуктов неполного сгорания органических примесей

Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов // 1367547

Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов // 1304442

Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод

Способ получения кристаллов со структурой берилла // 1175186

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности

Способ выращивания кристаллов селенида цинка // 1157889

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок // 2127774

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе // 2132415

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2132416

Способ получения монокристаллов (его варианты) // 2133787

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2134314

Способ получения монокристаллов соединения liins2 // 2189405

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Способ выращивания кристаллов // 2199614

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Устройство для выращивания кристаллов // 2199615

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Тройной халькогенидный монокристалл для преобразования лазерного излучения и способ его выращивания // 2255151

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике