Элемент памяти

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании энергонезависимых магнитных запоминающих устройств с произвольной выборкой на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Цель изобретения - оперативное считывание хранимой информации. Элемент памяти содержит тонкую магнитную пленку, восьмиобразную магнитостатическую ловушку, ЦМД, координатные шины записи, полупроводниковую пластину, две. пары полевых транзисторов, входы и выходы элемента. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

И (21) 4634754/24 (22) 19.01.89 (46) 30.01,91. Бюл. ¹ 4 (71) Пензенский политехнический институт (72) Л.А. Брякин (53) 681.327.66 (088.8) (56) Бобек Э. и Делла Торре. Цилиндрические магнитные домены. М„Энергия, 1977, с. 192.

Там же, с, 165-167.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании энергозависимых магнитных запоминающих устройств с произвольной выборкой на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения вЂ” оперативное считывание хранимой информации.

На фиг. 1 представлена топология предлагаемого запоминающего элемента; на фиг, 2 вЂ” тонкая магнитная пленка, Предлагаемый запоминающий элемент содержит тонкую магнитную пленку 1, восьмиобразную магнитостатическую ловушку

2, цилиндрический магнитный домен 3, координатные шины 4 и 5 записи, полупроводниковую пластину 6, исток 7, первую 8 и вторую 9 пары полевых транзисторов, сток

10, затвор 11, омический контакт 12 первого транзистора первой пары, сток 13. затвор

14, омический контакт 15 второго транзистора первой пары, сток 16, затвор 17, омический контакт 18 первого транзистора второй пары, сток 19, затвор 20, омический контакт 21 второго транзистора второй па Ы, 1624524 А1 (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании энергонезависимых магнитных запоминающих устройств с произвольной выборкой на цилиндрических магнитныхдоменах (ЦМД), Цель изобретения вЂ” оперативное считывание хранимой информации.

Элемент памяти содержит тонкую магнитную пленку, восьмиобразную магнитостатическую ловушку, ЦМД, координатные шины записи, полупроводниковую пластину, две. пары полевых транзисторов, входы и выходы элемента. 2 ил. ры, первый информационный выход 22, второй информационный выход 23.

Запоминающий элемент работает следующим образом.

Предположим, что в полевых транзисторах элемента памяти носителями заряда в каналх являются электроны и что на полупроводниковую пластину не действует магнитное поле. Тогда при подаче положительного относительно истока напряжения на стоки транзисторов установятся для идеально симметричной структуры одинаковые токи в выходных цепях 22 и 23.

Причем поскольку омические контакты расположены симметрично относительно контактов, разность потенциалов между ними равна нулю. Напряжение между затворами и истоком определяется падением напряжения под действием тока стока на участке между омическим контактом и истоком. Равенство токов не нарушится и при действии постоянного магнитного поля, поскольку наблюдаемая разность стоковых токов одной пары транзисторов компенсируется разностью токов в другой паре транзисто1624524 ров. Вблиаи цилиндрического магнитного домена действует магнитное поле рассеяния, которое силовыми линиями охватывает каналы проводимости транзисторов, Для предложенного на чертеже положения домена предположим, что под действием поля домена электроны в первой транзисторной паре 8 в процессе своего движения от истока 7 к стокам 10, 13 отклоняются под действием силы Лоренца в сторону стока 13.

Следовательно, при подаче питающего напряжения наблюдается уменьшение величины тока стока 13 второго транзистора первой пары 8. В то же время нэ вторую пару 9 транзисторов действует близкое к нулю магнитное поле или поле противоположного направления. Если действует поле противоположного направления, то электроны во второй паре 9 транзисторов отклоняются в сторону второго транзистора, Тем самым соотношение между выходными токами не нарушается. Выполняется неравенство!выхгз выхгг. Кроме того, на омических контактах 12, 15, 18 и 21 формируется ЭДС

Холла, причем "минус" формируется на кон- такте 15, "плюс"" вЂ” на контакте 12. Это приводит к росту напряжения на затворах 14 и

20 вторых транзисторов обеих пар и к уменьшению напряжения на затворах 11 ° 17 первых транзисторов обеих пар. А это способствует дальнейшему перераспределению токов между выходами, В результате ток на выходе 23 окажется больше тока «а выходе 22, Подачей координатных токов можно сместить домен 3 в другое состояние в магнитостатической ловушке 2. При этом наблюдается превышение тока на выходе

22 над током на выходе 23, т. е. 1выхгг> 1выхгз.

Контролируя полярность раэностного тока, легко определить состояние запоминающего элемента.

Формула изобретения

Элемент памяти, содержащий тонкую магнитную пленку с цилиндрическими маг5

40 нитными доменами с расположенными на ней восьмиобразной магнитостатической ловушкой и двумя координатными шинами записи, отличающийся тем,что,с целью оперативного считывания хранимой информации, на тонкую магнитную пленку нанесена полупроводниковая пластина, в которой над центром магнитостатической ловушки выполнен общий исток расположенных в пределах магнитостатической ловушки четырех полевых транзисторов, первая и вторая пара этих транзисторов расположены зеркально вЂ” симметрично относительно истока, сток первого транзисто- ра первой пары транзисторов расположен напротив стока первого транзистора второй пары транзисторов, оба стока расположены нэ одинаковом расстоянии от общего истока, соединены электрически и образуют первый информационный выход элемента памяти, сток второго транзистора первой пары транзисторов расположен напротив стока второго транзистора второй пары транзисторов, оба стока расположены нэ одинаковом расстоянии от общего истока, соединены электрически и образуют второй информационный выход элемента памяти, первый и второй транзисторы каждой пары транзисторов расположены в непосредственной близости друг от друга, причем их встроенные каналы смыкаются, образуя общий канал, на боковых сторонах которого на равном расстоянии от истока симметрично относительно общего канала расположен первый и второй омические контакты, причем первый контакт первой пары соединен с вторым контактом второй пары, второй контакт первой пары транзисторов соединен с затвором первого транзистора первой пары и первого транзистора второй пары транзисторов, а первый контакт второй пары транзисторов соединен с затворами второго транзистора первой пары и второго транзистора второй пары транзисторов, 1б24524

Фиг. 1

Фиг.2

Вид на пюнкую магнитную ппениу

Составитель В.Гордонова

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор Л.Бескид

Редактор М.Келемеш

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Заказ 194 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП)

Запоминающий модуль // 1624522

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Реверсивный магнитный регистр сдвига // 1619342

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах хранения и обработки информации на плоских магнитных доменахо Целью изобретения является повышение надежности регистра сдвига

Функциональный синхрогенератор для доменной памяти // 1619341

Модуль доменной памяти // 1617457

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных дисках различной информационной емкости

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах // 1615805

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов // 1608750

Изобретение относится к вычислительной и измерительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1608749

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Запоминающий модуль // 1608748

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Способ измерения эффективных магнитных полей анизотропии в магнитной пленке // 1608747

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)