Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур
1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса структуры через маску, защищающую выход p-n-перехода на поверхность скоса, напыляют невыпрямляющий металлический контакт толщиной d, удовлетворяющей условию
m - плотность материала напыляемого контакта;
Ub - ускоряющее напряжение электронной пушки микроскопа, которое выбирают в интервале
где s - плотность материала исследуемого слоя, 
мин - минимальная глубина залегания p-n-перехода в зондируемой при измерении наведенного тока области скоса, а диффузионную длину неравновесных носителей заряда L вычисляют из уравнения
где 
- наведенный ток, измеренный в произвольных единицах при зондировании точек, в которых глубина залегания p-n-перехода составляет соответственно i и j мкм, i,j - номера точек зондирования.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что глубину залегания p-n-перехода в зондируемых точках скоса определяют по формуле
= Xsin
,
где - величина угла скоса,
Х - расстояние от зондируемой точки до конца скоса исследуемого слоя, причем положение конца скоса определяют перед напылением контакта как положение границы той части структуры, при зондировании которой лучом растрового электронного микроскопа во внешней цепи структуры протекает наведенный ток.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при измерении наведенного тока к исследуемой структуре прикладывают обратное напряжение смещения, достаточное для запирания p-n-перехода, а в качестве величины наведенного тока используют величину приращения обратного тока, возникающего при облучении структуры электронным лучом.
