Устройство для отбраковки дрейфовых транзисторов

 

Устройство для отбраковки дрейфовых транзисторов, содержащее генератор высокочастотного синусоидального напряжения, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора и клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, которая соединена с первым выводом резистора и через конденсатор - с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности отбраковки, оно снабжено управляемым усилителем, генератором треугольного напряжения, детектором, дифференцирующим блоком, инвертором, четырьмя пороговыми блоками, регистром и блоком индикации, при этом выход генератора высокочастотного синусоидального напряжения подключен к входу управляемого усилителя, управляющий вход которого соединен с выходом генератора треугольного напряжения, вход которого соединен с шиной пуска, выход управляемого усилителя подключен к клемме для подключения коллектора испытуемого транзистора и через детектор - к входам первого и второго пороговых блоков, выходы которых соединены соответственно с первым и вторым входами регистра, вход сброса которого соединен с шиной сброса устройства, клемма для подключения эмиттера испытуемого транзистора соединена с входом третьего и четвертого пороговых блоков и входом дифференцирующего блока, выход которого подключен к входам стробирования первого и третьего пороговых блоков и через инвертор - к входам стробирования второго и четвертого пороговых блоков, выходы третьего и четвертого пороговых блоков соединены соответственно с третьим и четвертым входами регистра, выходы которого соединены соответственно с входами блока индикации, второй вывод резистора соединен с общей шиной устройства.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам контроля полупроводниковых приборов - диодов и биполярных транзисторов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх