Способ лечения криогенных ран

Изобретение относится к области медицины, в частности к области хирургии, и может быть использовано для лечения криогенных ран. Проводят предварительную обработку раны антисептическим раствором с последующим воздействием магнитным полем. Одновременно с воздействием магнитным полем осуществляют фотостимуляцию некогерентным излучением с длинами волн 600-700 нм, 860-960 нм с импульсным лазерным излучением с частотой следования импульсов 5, 50, 1000, 3000 Гц и в режиме качающейся частоты от 1 до 250 Гц со скоростью изменения 1 Гц/10^-9 с. Значение индукции магнитного поля 35-40 мТл. Способ обеспечивает полноценную репарацию, сокращает время лечения.

 

Изобретение относится к области медицины, в частности к области хирургии, и может быть использовано для лечения криогенных ран (последствия криохирургического воздействия на новообразования) у детей.

Известен способ лечения криогенных ран путем воздействия концентрированным 5%-ным раствором КМnO₄ для заживления под сухим струпом (Кузин М.И. Антисептика и асептика от Н.И.Пирогова до наших дней. М., 1981).

Недостатком данного способа является относительно низкая эффективность лечения, обусловленная тем, что при неблагоприятных условиях (высокая или низкая температура, высокая влажность окружающего воздуха и пр.) могут возникнуть такие осложнения, как нагноения с последующим грубым рубцеванием, ухудшение репаративной активности клеток эпителия, что требует дополнительных технологических операций по устранению дефектов тканей.

Наиболее близким техническим решением по совокупности существенных признаков является способ лечения криогенных ран, основанный на использовании магнитотерапии с предварительной обработкой раны антисептическим раствором (Ясногородский В.Г. Электротерапия. М., 1987 г., стр.140).

Недостатком данного способа является недостаточная эффективность лечения, т.к. часть пациентов толерантна к этому методу (у них отсутствует чувствительность к действию магнитного поля), и кроме этого удлиняется время процедуры до десятков минут. Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, заключается в повышении эффективности и сокращения сроков лечения.

Поставленная задача решается за счет того, что в способе лечения криогенных ран, включающем предварительную обработку раны антисептическим раствором с последующим воздействием магнитным полем, одновременно с воздействием магнитным полем осуществляют фотостимуляцию некогерентным излучением с длинами волн 600-700 нм, 860-960 нм, импульсным лазерным излучением с частотой следования импульсов 5, 50, 1000, 3000 Гц и в режиме качающейся частоты от 1 до 250 Гц со скоростью изменения 1 Гц/10^-9 с при значении индукции магнитного поля 35-40 мТл.

Способ лечения криогенных ран осуществляют следующим образом.

После предварительной обработки криогенной раны антисептическим раствором осуществляют одновременное воздействие на рану импульсным лазерным излучением с частотами следования импульсов 5, 50, 1000, 3000 Гц и в режиме качающейся частоты от 1 до 250 Гц со скоростью изменения 1 Гц /10^-9 с при мощности излучения 4-50 Вт и магнитным полем при значении индукции 35-40 мТл.

Воздействие магнитным полем и лазерным излучением осуществляется при помощи медицинской установки «РИКТА-04». Количество сеансов терапии от 3 до 5.

Скорость изменения частоты, равная 1 Гц /10^-9 с, позволяет клеткам организма выбрать тропную для них частоту, а излучению проникать на необходимую глубину. Квантовое воздействие служит фактором, способствующим процессам полноценной репарации, что в конечном итоге повышает эффективность лечения криогенных ран.

Увеличение мощности повышает способность квантового излучения проникать на более глубокие уровни и сокращает время лечения на 7±1 суток.

Способ лечения криогенных ран, включающий предварительную обработку раны антисептическим раствором с последующим воздействием магнитным полем, отличающийся тем, что одновременно с воздействием магнитным полем осуществляют фотостимуляцию некогерентным излучением с длинами волн 600-700 нм, 860-960 нм, импульсным лазерным излучением с частотой следования импульсов 5, 50, 1000, 3000 Гц и в режиме качающейся частоты от 1 до 250 Гц со скоростью изменения 1 Гц/10^-9 с при значении индукции магнитного поля 35-40 мТл.