Способ стабилизации униполярности кристаллов ват о

 

описд йив

ИЗОБРЕТЕН Ия (ii) 50I444

Goes Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.05.74 (21) 2024226/26-25 (51) Ы. Кл. H 01V 41/00 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.01.76. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 15.04.7б

Государственный комитет

Совета Министров СССР по дела» изобретений и открытий (53) УДК 537.228.1 (088.8) (72) Авторы изобретения В. 3. Бородин, Б. Ц. Шпитальник, Б. Ф. Проскуряков и Л.М. Берберова

Ростовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет (71),За я в п тель (54) СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ УНИПОЛЯРНОСТИ

КРИСТАЛЛОВ BaTio

Способ от|носится к ооластп создания чувствительных и стабильных сегнетоэлектричесматериалов. Уни по 1HpHO Tb B сегнетоэлектриках предоставляет интерес с точки зрения создания пьезо- и пироэлементов, обладающих стабильными характерист|иками, а также нелинейных элементов.

Существует два способа усиления и стабилизации естественной упиполярности; па одну из поверхностей кристалла наносится электрод из одного материала (например, жидкий, либо Ag, Сп, Ап), а на вторую — из другого (например С, А1, Zn, Ag), униполярность, создаваемая таким образом,,не обусловлена валент1ностью металлов, используемых в качестве электродов; одну из пове1рхностей кристалла шлифуют.

Существенным недостатком о писанных вышс способов является нестабильность ха рактористик полученных образцов тепловым, электрическим и механическим воздействиям.

Целью изобретения является повышение стабилизации у1ниполярности и улучшения управления униполярностью кристаллов BaTiO>.

Достигается это тем, что в одну из граней кристалла внедряют металл, валентность которого меньше валентно сти титана, или его окиссл, а в другую грань внедряют металл, валентность которого больше 13 llонтности титана, или его окисел.

На очищенные предварительно поверхности кристалла ВаТ10з наносят соли СоС1е бН20 и

5 ЪОз на внешнюю и внутреннюю грани соответственно, и такой образец помещается в платиновую капсулу, которая нагревается в печи до 1000"С и выдерживается в течснпе 30 мпн.

При этом происходит термодиффузпя метал10 лов на некоторую глубину в образец, затем образцы охлаждаются до комнатной температуры. Контроль состояния поляризации до и после термодиффузии осуществляется методом динамического пироэффекта. Внедрение

15 металлов необходимой валентности в кристалл ВаТ10з можно осуществить ионным легирова нием. Для этого кристаллы Ва Ti03 обезжириваюгся в бензоле и помещаются в камеру, где осуществляется бомоардпровка

70 попами щелочных металлов.

Униполярпость образцов, полученных предлагаемым способом, проверена на стабильность к полю и температуре по ппроактив75 IQСтИ.

На фиг. 1 представлена зависимо.сть ппротока от температуры кристалла BaTi03, на фпг. 2 — — зависимость пиротока от времени при

501444

Формула изобретения

10 лч

06

0У

6,notY

Составители В. Вавер

Корректор Л. Котова

Текред М. Семенов

1-сдактор E. Дайч

6! 9 19 Изд. ¹ 1030 Тира к 977 11одиисиое

ЦНИИПИ Гос>дарственного комитета Совета Министров СССР ио делак! Изооретений и открытий

113035, Москва, )K-35, Раугвскан нао., д. 4/5

Тииогра )list, нр. Саненова, 2 поле, приложенном против возникающей по ле термодиффузии упиполярно сти.

После выключения электричеокого тока первоначальная ун иполярность восстанавливается.

Криста 7.7ы, унпполярность в которых стабилизирована предлагаемым способом, могут найти применение в качестве чувствительных и высокостабильных эчеме нто в в прием никах

ИК-излучения, где особенно важна роль стабильно сти униполя рности к внешним воздействиям.

Способ стабилизации униполярности криталлов Ва TI07, отличающийся тем, что, с целью повышения стабилизации униполярности и улучшения упра|вления униполярностью, в одну из граней кристалла внедряют металл, валентность которого меньше валентности тита на, или его окисел, а в другую гDBIEIb внедряют металл, валентность которого больше вале!нтности тита на, ил|и его ок r