Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соаетскмн

Социалистических

Республик (и) 489l65 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено13,11.73 (21) 1973557/26-25 (51) М. Кл.

Н 01 е 7168 с присоединением заявки №Гасударственный квмнтет

Фвввтв Мнннатрвв СсСр вв делам нэабрвтеннй н втнрытнй (23) Приоритет(43) Опубликовано25.10 75. Бюллетень № 39 (53) УДК

621.382 (088.8 ) ) (45) Дата опубликования описания 16.01.76 (72) Авторы изобретения

C.. Д. Аксенов, Н. В. Блохин, Ю. П. Клюев, В. В. Павлов, В. Н. Филиппов, А. А. Чернявский и В. И. Шабельников, (71) Заявитель (54) ЗОНДОВАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

Изобретение относится к области полупроводникового машиностроения и, в часч ности, к установкам зондового контроля транзисторных структур на пластине.

Известчы зондовые установки для контроля электрических пар метров транзисторных структур на пластине, которые содержат систему контактирования с зондами, оптическую систему, стол для закрепления пластины с механизмом шагового 1О перемещения. Они используются в электронной промышленности для производства ра личных микроэлектронных приборов.

Однако существующие установки нель;зя использовать для контроля транзистор- И ных .структур с размерами контактных площадок в несколько микрон. Отклонение координат наведения зондов на контактные площадки и разброс усилий контактирования приводят к сдвигу зондов и поврежде- 20 ,нию металлизированного слоя контактных площадок транзисторных структур в виде рисок и прчколов.

Бель чзобретения — повысить точность контактированяя зондов с контактными йлошадками полупроводниковых структур на пластине и уменьшить разброс усилий контактирования.

Это достигается тем, ч"..о горизонталь» ные оси качания контактирующих зондов расположены в плоскости контактированиы.

На фиг, 1 изображена схема предлагае» мой зондовой установки; на фиг, 2, а,б,схема образования погрешности попадания зонда на контактную плошадку для устано» вок с качающимися зондами; на фиг. 3 а, б - схема образовании дефекта на контактной площадке из-за сдвига зонда для уста» новок с пружинно-балочным креплением зондов.

На схемами принять. следующие обоэнл» чения: Э,Б,К вЂ” условное подключение эк:иттера, базы и коллектора проверяемой структуры к испытательной схеме (на схеме условно не показаны лектроиэоляпия зондоь и предметного стола и привод установки); Я вЂ” длина зонда; Я вЂ” фокаль» ная плоскость, - расстояние от оси качания зонда до плоскостч Я ; а h - глу1 бина резкости оптической системы;

3 тт Я /(/ ь Ь /

) Р т ,,, „, Т.» ,1 рейецмя Кой Гактной площадки длина риски.

Установка состоит иэ оптииескогo уст

Пзйотнтт т КООПуСИ,,» ПРЕДМЕТНОГО СТОЛа

Э с махани жом перемещения, двух изме рителъных зОидОВ 4 с механизмами пере мещтения.

Раоота установки осуществляется сл"=

Дтттотии :, О РИЗОМ .Проверяем H пластина 5 эакрепляетт :и

Иа ПРЕДМЕ «НОМ СТОЛЕ 3 ВаКУ МН:;.тМ ПРЯЖИ

:мом и оритентирчется механизмсм первые- @ щения стола Одновременно ведетс"=: визу

ЙЛВНЫтй- КОНТРОЛИ кант Стна ТРанЭИСТОРНЫХ . СТРУК„.тР С ПОМОиЫО OIITHHeCEOI3 СИСТЕМЫ

1 т жфСТКО СВЯЭанной C КОРПУСОМ 2 . ИЗМЕРИТЕЛттНЫЕ,ОНДттт 4 «ттЕХИНИЗт,1ттМИ Hegel IeIëe„. ßá

ИИ ттаиодт тСИ тт цттта т а тратт Q Оттчтт, аттт т на KGHTHIITиые площадки проверяэмо струк=

ТУРЫ ттРтл ЗТОМ;тсиРЦЕ Уснтаитицонания

GтHB0И C2M B

ИЭ) eppTe Jpg ЕЛЕ, т, ) тттЕ. (Ит тт СИ тдтпот» т И Н Д

ЗИCTQOIJи CTP> ."т РУР т.,+ОжЕ т и ттВ вт1р 5 утатт

ЛтОО т ИЗ CúãIIIe рт.",т Oтплк тттттg I",l>-I gOr

ЛЕ тттэтттpgþIIHp,, СИДЫ ° «О д т1т т, т т ниэм щагового перемеше. л подводит в поло контроля следующую с: ;уктуру.

Предмет изо етения

Зондовая установка д. я контроля полупроводниковых структур например транэис»

TopH ), имеющих контактные площадки иа пластине, содержащая корпус для закрепления узлов я механиэмо.-:, опти «ескую системут жестко закрепленну иа корпусе и имеЮЩУЮ ВЕРТИКаЛБНУЮ МИ --ОПОДС,.ПОЙКУт СИСТЕ» мту контактирования с катающимися на горнэонтагп.ных осях ypaBHG; ещивающимися измерительными зондами, n,.еющими механизмы ГОРРЗОНтаХПзнтго II8Peh"- . ИИИЯ В ДВУХ ВЗИИМ но перченди улириых и ..правлениях, предмеъный стол .для закрепл чия полупроводниковой

ПЧастииыт ИМЕЮШИй М ХаИИЗМ ГОРИЗОнтаЛЬ перемещения в двух ззаимно перпендикулярных направлениях, с т л и ч р ю щ а я с я тем, что, с пельтт пони@ения точности контак ирования зли. ов с контактными плщадками полупроводниковых структур на пластине и уменьтттения разброса усилий конаК т ттРОВаттИЯ IGPH MHTHJIBIJHIe QCH КаЧаНИЯ

ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЗОНДОВ РаСПОЛОЖЕЧЫ B НЛОст кости кои актирования.

489165

Составитель А. Усков

Техред,М. Ликович. Корректор Баъурка

Редактор О. Стенина

Заказ 1152

Тираж 833

Подписное

113035, Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина,1С1

1ХНИИЛИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур 

 

Похожие патенты:
Наверх