Способ электронографии на отражение
O Л И C А Н И ЕIII;)528638 !,3OSPETEHM9 i
Союз Советских
Сокиалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.07.75 (21) 2155192/25 с присоединением заявки № (51) М К1 Н 013 37/26
Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 621 385 833 (088.8) Опубликовано 15.09.76. Бюллетень № 34
Дата опубликования описания 02.12.7б (72) Авторы изобретения
О. П. Пчеляков и С. И. Стенин
Институт физики полупроводников СО AH СССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОНОГРАФИИ HA ОТРАЖЕНИЕ
ГосУдарственный комитет (23) Г1риоритет
Изобретение относится к области анализа кристаллических веществ с помощью дифракции электронов и может быть использовано для исследования структуры приповерхностных слоев различных кристаллов.
Известны способы (1) получения электронограмм на отражение, заключающиеся в том, что исследуемый объект освещается пучком электронов, направленных под скользящим углом к поверхности объекта. Возникающая диф1?акционная картина ф1!кс11ру етс?! ни?ке объекта на фотопластинку или фотопленку.
Для повышения точности измерения межплоскостных расстояний объекта d на его поверхность наносят тонкую пленку эталонного вещества или получают отдельную электронограмму от эталонного вещества, помещаезiогo в кристаллодержатель электронографа взамен исследуемого кристалла. Однако эти способы не позволяют измерять межплоскостное расстояние точнее, чем 1%.
Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является (2) способ электронографии на отражение, включающий использование дифракции электронов на приповерхностных слоях об ьектов и,pci.истрацию дифракционных картин на фотопленке. Однако низкая точность определения межплоскостного расстояния при этом способе ограничивает возможности идентификации веществ с близкими межплоскостными расстояниями.
Низкая точность связана с тем, что электронным пучком освещается вся поверхность объекта, в результате чего расстояние от объекта до пластины оказывается неопределенным в пределах размера объекта в направлении падающего пучка.
Для увелнченп» точности измерения межIl;10ciioc1 ных расстояни11 Iгзу чаемого Объект <1
10 по предлагаемому способу pei.»cipallIIIo дпфракционных картин производят последовательно на две фотопленки, расположенныс 11а разных расстояниях от объекта.
Суть изобретения поясняется чертежом, на
15 котором 1 — первая позиция расположения фо1оэмульсионного материала; 2 — вторая позиция расположения фотоэму льсиОнноl о матеpII3 iÿ; 3 — - поло?кение ОО ьекта; 4 — поло?кение эталона.
20 Если днфрагирующая область на исследуемом образце ра-положена в точке 3, а эталон помещен в точку 4 на расстоянии Л1. от точки 3, то на фотопластинках 1 и 2 дпфракция от образца дает рефлексы с расстояниями
25 между ними Dip u Dgp соответственно, а дифракция на эталоне —.01, и 13,, В каждой 110зиции фотопластинок для эталона вычисляется постоянная прибора L:i. (Lii. и L i соответственно). Чтобы использовать величины L;i., 3,1 определенные для эталона, при расчете мсж528638 расстояний исследуемого сталла, необходимо в уравнение Вульфа—
Брегга которое после перегруппировки членов имеет 13 вид
Dio D2o — Dio )го (2а)
Обозначим через коэффициент k отношение
О >o/В 2о, который определяется из экспери- 2р мента как k=D»/D». Производя подстановку
В 2o (D 0), выраженное через k и D io (В 2o), в уравнение (2а), получаем
k - 10 — (Dãо О)1о) 25 (3)
1 го D> о
Ого—
1 — /г
Подставляя D io в уравнение (1), окончатель- Зр но имеем
2L11 (1 — k)
u 2Ег1. (1 — /г) (4) С/ = (1) Dio подставить значения D,o, которые будут соответствовать дифракции от образца из точки э, Вычисления D ip из известных на эксперименте величин D . и Dcp осуществляются следую- 1ð щим образом. Согласно приведенной схеме выполняется следующее соотношение I Г DI0 )20 — 20 Dго (2) Все измерения на электронограммах производятся на рефлексах, лежащих строго на сфере отражения, параллельно тени образца с тем, чтобы устранить влияние эффектов формы и преломления электронов на точность измерения D. Кроме того, для образцов любого типа (поликристаллических и монокристаллических) на значения d, полученные по формуле (4), вносится обычная поправка, обусловленная изменением Ы. с увеличением д: 3 2 i с Формула изобретения Способ электронографии на отражение, включающий использование дифракции электронов на приповерхностных слоях объектов и регистрацию дифракционных картин на фотопленке, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности измерения межплоскостных расстояний изучаемого объекта, регистрацию дифракционных картин производят последовательно на две фотопленки, расположенные на разных расстояниях от объекта. Источники инфор мации, использованные при экспертизе: 1. Утевский Л. М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении, М., Металлургия, 1973, с. 32 — 34. 2. 5Куков Л., Гуревич М. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М., Металлургия, 1971 (прототип). 528638 Составитель Б. Калин Техред Е. Подурушина Корректор Л. Котова Редактор С. Микулицкая Типография, пр, Сапунова, 2 Заказ 2682/1 Изд. № 1832 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5
