Установка для климатических испытаний полупроводниковых приборов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-sy(22) Заявлено 06.01.75 (21) 2093044/25 (я) м. к.

Н 01 L. 23/66 с присоединением заявки МГосудорстоеяны» комитет

Совете Министров СССР па делом яэооретеняй и откоытий (23) Приоритет(43) Опубликовано05,11.76,Бюллетень М41

1 (45) Дата опубликования описания;01.03.77, (53) УДК 621.382 (088,8) А. B Чистов и B. А. Шпаков (72) Авторы изобретения (?1) Заявитель

Изобретение относится к установкам, ио

I пользуемым в полупроводниковом производ- стве, Оно может быть применено для клима гических испытаний готовых полупроводииковых приборов при одновременном измере» нии их электрических параметров, Известна установка для климатических испытаний гранзисторов, содержащая основание, рабочую камеру с установленным в ней накопи гвльно-транспортным устройством, выполненным в виде неподвижного цилиндра с винтовой нарезкой и барабана с продолж ными пазами j 1), Недостатками известной установки явля юотся ее сложность и невысокая производи ге льностьв

Наиболее близким техническим решением к предложенному является установка для климатических испытаний полупроводниковых приборов, содержащая основание, рабочую камеру, устройство для питания камеры ио пытуемыми приборами, уложенными в тех нологические спугники, механизм подачи .спутников в линейное гранспоргное устройство, которое имеет направляющие и меха- . низм для перемещения спутников в камере, в также контактное устройство для подклкрчения приборов к иэмеритеотю, Недостатки этой установки заключаются в том, что испытания приборов возможны только в плоских спутниках, транспортное устройство имеет малую емкость, и, как следствие, невысокую проиаводительностьв

Кроме того, установка имеет значительные ц>;габаритные размеры, что приводит к неэкоиомичному использованию производственных

; aaom&p,åé.

Бель иаобретения увеличение производительности установки, упрощение ее конст

tS,рукции и экономии проиаводственных площа дей„

Дпя этого рабочая камера выполнена в виде образуютцих замкнутый объем двух

:вертикальных раановысоких отсеков и соедре2о,ттякипего их наклонного отсека, при этом, агру чное устройство с приемником кас фет установлено в обьеме, образованном рснованием и отсеками рабочей камеры, Установка обеспечивают бестарную тре .аГИБ рортировиу трвивиоторов и пругли полупрс (54) УСТАНОВКА ДЛЯ КЛИМАТИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

534811

3! водниковых приборов. Увеличение ее произ водительности достигается за счет увели-! чения емкости транспО >тной системыф

На чертеже показана предложенная усм ковка в разрезе.

Установка для климатических испытаний содержит основание 1, вертикальные отсеки

2,3 рабочей камеры и наклонный отсек 4, В объеме, образованном основанием и отсе- щ кателями рабсчей камеры, установлено загру вочное устройство 5 (иа чертеже показано условно), включающее. кассету, многоканаль мую точку с анкерным механизмом и досылателем. 8 основании 1 расположены венти )5 лятор 6, воэдуховод 7, пневмоцилиндры 8 и 9 и разбраковщик приборов 10, Вертикальные и наклонный отсеки. вмео те с воздуховадом 7 образуют замкнутый контур, в котором создан микроклимат для 20 испытуемых приборов,;В этом контуре раэМещена транспортно-накопительная система,, включающая ненодвижныз стенки 11 и 12 с, полками 13, подвижные стенки 14 и 15 с полками 16, систему толкателей, состоящую из рам 172О р приводами 21 24 и кронштейнами 25, а также иэ досылателей

26-29, Полки 13 и 16 представляют собой планки с пазами, размер которых сост ветствует размеру выводов приборов. Крон- штейны 25 рам 1v и 18 выполнены в виде планок с выемкой, форма которой со ответствует корпусу транзистора, что позволяет транзисторам сохранять ориентацию от начала транспортировки до позиции конS5 тактирования с групповым подключающим устройством ЗО, Латок 31 предназначен для вывода транзисторов из камеры в раэбраковщик 10, Установка дпя климатических испытаний

40 работает следующим образом. Из эагрузоч ного устройства 5 транзисторы по одному

-:с помощью анкерного механизма под дейст вием собственного веса подаются на ниж4б нюю полку подвижной стенки 14, а досыла-:

I тель 27 обеспечивает их точное положение: на ней,: Затем подвижная стенка 14 пере- мещается вверх на шаг пневмоцилиндром 8, а рама 17 передвигает транзисторы на поа- 1

4 ку 13 неподвижной стенки 11. После этогс, подвижная стенка 14 опускается в исходное положение, рама 18 сдвигает транзио :,торы с полки 13 стенки 11 на полки 16

;стенки 14. Таким образом, цикл за циклом тпанэисторы поднимаются выше, НепрерывГ о поступая из кассеты загрузочного устойства б, транзисторы накапливаются в от еке 2 рабочей камеры по высоте. При даос ижении верхней полки подвижной стенки 14 гранзисторы додылателем 29 сдвигаются в гечку наклонного отсека 4 и, двигаясь под действием собственного веса, достигают верхней полки 16 подвижной стенки 15, aoqле чего начинается перемещение их вниз, На нижней полке неподвижной стенки 12 осуществляется контактирование транзистс. ров в устройстве ЗО, После измерения электрических параметров транзисторы переходят на нижнюю полку подвижной стенки 15, откуда досылателем 26 смещаются в лоток

31, а из него йопадают в раэбраковщик 10 .

Формула изобретения

Установка для климатических испытаний полупроводниковых приборов, содержащая ,основание, рабочую камеру с установленным

:в ней накопительно-транспортным устройся вом, загрузочное и разгрузочное устройства, о т л и ч а ю ш а я с я тем, что, с целью повышения производительности установки, упрощения ее конструкции и экономии производственных площадей, рабочая камера выполнена в виде образующих замкнутый объем двух вертикальных разновысоких от секов и соединяющего ик наклонного отсека, при этом загрузочное устройство усжновлено в объеме, образованном основанием и отсеками рабочей камеры.

Источники информации, принятые во вне мание при экспертизе:

1. Оборудование для производства полу проводниковых диодов и триодов, под редакцией П. Н, Масленникова, "Энергия", М„

1970„стр. 145, -2 ° "Электронная промышленность," % 10, 1973, стр, 75 (прототип).

Составитель Ю. UBeTKDB

Ге>дектер !, ()!>ловсKils1 Техред А. Богдан Корректор Л. JI.,жид > . >ака,З >, ) 1 7/- ; > 1 I èðàæ 962 Подписное

Ill ill! ll ill Г >суд рственного ко>литета Совета Минисг! он ССС! по делам изобретени!! и огк!>нтi.é

1. I >I.I », Москва, Ж-35, P. óøñê;è н.>С>„д. 4l

Ф».", >.; I I l! "I I. <;: ", . Ужг >уи)д, ул„! !! о.— >к и>,.>:(, I

Установка для климатических испытаний полупроводниковых приборов Установка для климатических испытаний полупроводниковых приборов Установка для климатических испытаний полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх