Перемешивание расплавленной зоны (C30B13/26)

Отслеживание патентов класса C30B13/26
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2044)
C30B13/26                     Перемешивание расплавленной зоны(8)
Способ получения однородных монокристаллов // 2257428
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. .
 
2548247.
Наверх