С добавлением легирующего материала, например для n-р переходов (C30B15/04)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B15/04                     С добавлением легирующего материала, например для n-р переходов(38)

Устройство для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом чохральского // 2785892
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов арсенида галлия, являющихся перспективными для использования в микроэлектронике, солнечной энергетике и ИК-оптике. Устройство для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом Чохральского включает ростовую водоохлаждаемую камеру с установленным внутри камеры тиглем с расплавом, вокруг стенок которого установлен графитовый нагреватель штакетного типа с расположенным вокруг него индуктором, который выполнен из трех графитовых катушек А,В,С, соосно расположенных одна над другой, каждая из которых выполнена в виде 4 графитовых колец 14 прямоугольного сечения с прорезами, ступенчато соединенных в витки графитовыми вставками 16 и скрепленными шпильками 17 из композитного материала, соединяющими все 12 колец в единую конструкцию, при этом между графитовыми кольцами 14 катушек А, В, С установлены электроизоляционные керамические вставки 15, к началам катушек А, В, С присоединены композитные планки, подключенные к токовводам 19, концы катушек А, В, С электрически соединены с помощью композитных планок по схеме «звезда», индуктор и нагреватель имеют индивидуальные источники питания с возможностью независимого друг от друга функционирования и управления.

Способ получения сцинтилляционного кристалла и изделий из него // 2783941
Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционных материалов для использования в ядерной физике, сцинтилляционных модулях коллайдеров, рентгеновской компьютерной флюорографии и трехмерной позитрон-эмиссионной компьютерной томографии.

Способ получения борсодержащего монокристалла ниобата лития // 2777116
Изобретение относится к технологии выращивания борсодержащих монокристаллов ниобата лития, близких к стехиометрическому составу, методом Чохральского, в частности к способам получения борсодержащих монокристаллов ниобата лития, близких к стехиометрическому составу.

Сцинтилляционный материал и способ его получения // 2723395
Изобретение относится к сцинтилляционным неорганическим оксидным монокристаллам со структурой граната, содержащим гадолиний, иттрий, церий, бериллий и солегированным не менее чем одним элементом второй группы из Mg, Са, Sr.

Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков и способ его получения // 2646407
Изобретение относится к сцинтилляционным неорганическим оксидным монокристаллам со структурой граната, предназначенным для датчиков ионизирующего излучения в задачах медицинской диагностики, экологического мониторинга, неразрушающего контроля и разведке полезных ископаемых, экспериментальной физике, устройствах для измерения в космосе.

Способ выращивания монокристаллов cd1-xznxte, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа // 2633899
Изобретение относится к выращиванию из расплава на затравку монокристаллов Cd1-xZnxTe (CZT), где 0≤х≤1 ОТФ-методом. Способ выращивания кристаллов CZT осуществляют под высоким давлением инертного газа, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ, с использованием фонового нагревателя и погруженного в расплав нагревателя - ОТФ-нагревателя 6, путем вытягивания тигля 1 с расплавом в холодную зону со скоростью ν при разных начальных составах шихты 5, 7 в зоне кристаллизации W1 с толщиной слоя расплава h, и в зоне подпитки W2, а также с использованием щупа – зонда 3 контроля момента плавления загрузки в зоне кристаллизации W1, при этом для получения макро- и микрооднородных монокристаллов CZT заданной кристаллографической ориентации на дно тигля 1 устанавливают монокристаллическую затравку Cd1-xZnxTe требуемой кристаллографической ориентации 2, по центру затравки 2 устанавливают зонд 3 и размещают шихту 5, состав которой обеспечивает, с учетом частичного плавления затравки 2 и в соответствии с фазовой диаграммой состояния системы CdZnTe, рост монокристалла Cd1-xZnxTe при заданной толщине слоя расплава h в зоне кристаллизации W1, затем устанавливают ОТФ- нагреватель 6, над ОТФ-нагревателем 6 размещают шихту 7 состава, равного составу затравки 2, формируя зону подпитки W2, затем ОТФ-кристаллизатор с тиглем 1, затравкой 2, шихтой 5, 7 и ОТФ-нагревателем 6 с зондом 3 устанавливают в ростовую печь, печь заполняют инертным газом и ОТФ-кристаллизатор нагревают в печи в вертикальном градиенте температур со скоростью 10-50 град/час до начала плавления верха затравки 2 с последующим опусканием зонда 3 вниз до контакта с непроплавленной частью затравки 2, затем нагрев прекращают, а зонд 3 перемещают вверх до уровня дна ОТФ-нагревателя 6, систему выдерживают в течение 1-5 часов, контролируя с помощью зонда 3 темп плавления затравки 2, после чего начинают рост кристалла путем вытягивания тигля 1 вниз с скоростью 0,1-5 мм/ч относительно неподвижного ОТФ-нагревателя 6 с зондом 3.

Сцинтиллятор // 2627387
Изобретение относится к сцинтиллятору, который может быть использован в качестве детектора рентгеновского излучения в медицине, при досмотре вещей в аэропортах, досмотре грузов в портах, в нефтеразведке.
Способ выращивания высокотемпературных монокристаллов методом синельникова-дзиова // 2626637
Изобретение относится к выращиванию высококачественных высокотемпературных монокристаллов оксидов, в том числе профилированных, например, таких как лейкосапфир алюмоиттриевый гранат, рутил, и может быть использовано в лазерной технике, ювелирной и оптических отраслях промышленности.

Способ выращивания монокристаллов германия // 2626359
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия методом Чохральского для оптических применений. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и дополнительную - кремний, в количестве от 1,3⋅1020 см-3 до 3⋅1020 см-3 путем растворения кремниевых стержней в ходе выращивания кристалла.

Способ выращивания кристаллов германия // 2563484
Изобретение относится к металлургии полупроводников, в частности к электронной и металлургической отраслям промышленности, и может быть использовано при производстве монокристаллов германия. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и две дополнительные - кремний и теллур, которые вводят в расплав в количествах, обеспечивающих их концентрацию в расплаве 0,5·1020-1,2·1020 см-3 и 1·1019-5·1019 см-3 соответственно.
Способ получения оптически прозрачных монокристаллов граната // 2560356
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов тербий-скандий-алюминиевого граната и может быть использовано в магнитной микроэлектронике для сцинтилляторной и лазерной техники, в частности для создания изоляторов Фарадея для лазерного излучения высокой средней по времени мощности и высокой энергии в импульсе.

Оксидный материал лангаситного типа, способ его получения и сырьевой материал, используемый в способе получения // 2552476
Изобретение относится к технологии получения оксидного материала, имеющего структуру лангаситного типа, который является перспективным материалом для пьезоэлектрических устройств, используемым в области высоких температур.
Способ выращивания кристаллов гадолиний-скандий-алюминиевых гранатов для пассивных лазерных затворов // 2550205
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах и лидарах, работающих в области 1,2-1,55 мкм. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, в котором в качестве шихты используют полученный методом твердофазного синтеза гадолиний-скандий-алюминиевый гранат состава Gd2,88Sc1,89Al3V0,03O12, причем ванадий вводят в виде оксида V2O5, а процесс выращивания кристалла ведут в среде аргона при давлении в камере 1,2-1,8 атм, затем кристалл отжигают в вакууме 3-5·10-4 мм рт.

Монокристалл со структурой типа граната, оптический изолятор и устройство для лазерной обработки // 2536970
Изобретение относится к монокристаллу со структурой типа граната, который может быть использован в оптической связи и устройствах для лазерной обработки. Данный монокристалл представлен общей формулой (Tb3-xScx)(Sc2-yAly)Al3O12-z, где 0<x<0,1; 0≤y≤0,2; 0≤z≤0,3, является прозрачным и способен ингибировать образование трещин в процессе резки.

Способ получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия // 2534106
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон 1,3-2,5 мкм).

Способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия // 2528995
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида галлия, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон 1,3-2,5 мкм).

Монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор // 2527082
Изобретение относится к технологии получения монокристалла алюмотербиевого граната, который может быть использован в качестве вращателя плоскости поляризации (Фарадеевский вращатель) в оптике. Монокристалл представляет собой монокристалл алюмотербиевого граната, в котором часть алюминия замещена лютецием (Lu) и который представлен следующей химической формулой: ( T b a − y L y ) ( M b − x N x ) A l 3 − z O 12                          ( 1 ) , в которой L представляет собой Sc, M представляет собой, по меньшей мере, один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из Sc и Y, N содержит Lu, и a, b, х, y и z удовлетворяют следующим формулам: 2,8≤a≤3,2; 1,8≤b≤2,2; 0,01≤x≤0,6; 0≤y≤0,5; и -0,5≤z≤0,5.

Способ получения кристаллов кремния // 2473719
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов кремния способом Чохральского или мультикристаллов кремния методом направленной кристаллизации, которые в дальнейшем служат материалом для производства солнечных элементов и батарей (модулей) с улучшенными эксплуатационными характеристиками.

Способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации // 2367730
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. .
Способ получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната // 2328561
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей. .

Серийный способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов // 2324018
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра. .
Способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов // 2321689
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра. .

Способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния // 2250275
Изобретение относится к изготовлению легированных монокристаллов или поликристаллов кремния, применяемых в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств.

Способ выращивания кристаллов // 2248418
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского. .

Способ получения сцинтилляционного монокристалла лютеций- иттриевого алюмината // 2233916
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов лютеций-иттриевого алюмината, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений в медицинской диагностирующей аппаратуре.

Способ получения кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой // 2208068
Изобретение относится к производству полупроводниковых слитков и пластин, в частности кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой. .

Способ получения кремния, легированного сурьмой // 2202656
Изобретение относится к производству кремния, легированного сурьмой, широко применяемого в качестве подложек для эпитаксии. .

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца // 2202011
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов. .

Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода // 2193611
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов кремния, в частности к выделению отдельных частей слитков монокристаллов, в которых концентрация примеси углерода имеет заданные значения. .

Способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца // 2164562
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения.

Способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца // 2132417
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения.

Способ получения однородно легированных монокристаллов кремния // 2076155
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния методом Чохральского с последующим их применением при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности мощных и силовых транзисторов, силовых диодов, тиристоров и т.

Способ получения объемных монокристаллов кремния р-типа // 2070233
Изобретение относится к производству кремния для стабилитронов и подложек для эпитаксии. .

Способ получения однородно-легированного кремния // 2023769
Изобретение относится к области получения полупроводникового материала. .
Способ выращивания монокристаллов германия // 2014372
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения германия с высоким временем жизни неосновных носителей заряда ( н ) и низким отношением времени жизни основных носителей заряда к времени жизни неосновных носителей заряда (К = o / н).

Способ получения монокристаллов молибдата свинца // 1659535
Изобретение относится к способу получения монокристаллов молибдата свинца и позволяет увеличить размеры и улучшить качество монокристаллов. .

Способ получения монокристаллических полупроводниковых соединений // 1621562
Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5.

Способ получения кристаллов германия // 1461046
Изобретение относится к электронной и металлургической промышленности. .
Способ получения кристаллов германия // 1253181
Изобретение относится к электронной и металлургической промышленности, в частности к производству полупроводниковых материалов. .
 
.
Наверх