Травление (C30B33/08)

Отслеживание патентов класса C30B33/08
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2063)
C30B33        Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5) (302)
C30B33/08                     Травление(6)

Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов iii группы // 2593868
Изобретение относится к технологии изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов III группы для электронных и оптоэлектронных применений.

Способ получения независимой подложки из нитрида iii группы // 2576435
Изобретение относится к производству независимых подложек из нитрида III группы для применения в области электроники и оптоэлетроники.

Способ профилирования тугоплавких и химически стойких материалов // 2252280
Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения.

Композиция для химико-механической полировки поверхности полупроводниковых кристаллов // 1701759
Изобретение относится к составам для химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии, в частности при подготовке поверхности кристаллов CdSb, используемых для ИК-оптических элементах.

Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната // 1682417
Изобретение относится к химическим соединениям и предназначено для прецизионного травления эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната.

Травитель для ниобата бария-стронция // 1660407
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, конкретно ниобата бария-стронция.
 
2548244.
Наверх