Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала

 

liniXTA ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА, содержащая , CaZrO, SrTiO,,отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь при нормальных условиях и повьшения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала в области отрицательных рабочих температур, она дополнительно содержит ZnO при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiO 78,0-89,8 7,0-12,0 CaZrOg 3,0-8,0 SrTiO 0,2-2,0 ZrO

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3832228/29-33 (22) 30.12.84 (46) 23.11.86. Бюл. Ф 43 (72) Э.И. Мамчиц, И.Г. Бертош, В.Ф. Ларичева и В.E. Котляр (53) 666.655 (088.,8) (56) Материалы керамические радиотехнические. ГОСТ 5458-75.

Applications of modern ceramic

bngineering. "Mech. Eng 1982, 104, 12, с. 24-33. (54)(57) 11БХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО

„,SU 1271850 А1 (51)4 С 04 B 35/46 Н О1 B 3

Г

МАТЕРИАЛА, содержащая ВаТ 01, СаЕгО

SrTiO, отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь при нормальных условиях и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала в области отрицательных рабочих температур, она дополнительно содержит ZnO при следующем соотношении компонентов, мас.7:

BaTiO 78,0-89,8

CaZrO 7,0-12,0

SrTiO 3,0-8,0

Zr0 0,2-2,0

1271850

Состав и свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных конденсаторов приведены в таблив це, Сосодержание компонентов, мас °

4Е -40 о 88.10 тав

BaTiO > CaZr0> SrTi0> ZnO

78,0 12„0 8,0 2,0 8200 0,5

83,9 9,5 5,5 1,1 8600 0,9

-48

-51

89,8 7,0 3,0 0,2 9300 1,0

-54

Составитель Л. Косяченко

Техред И.Попович Корректор И. Муска

Редактор Н. Яцола

Заказ 6307/24 Тираж 640 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва., Ж-35, Раушская наб., д..4/ i

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород„ ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.

Цель изобретения — снижение диэлектрических потерь при нормальных условиях и повышение стабильности диэлектрической проницаемости материала в области отрицательных рабочих температур.

Предлагаемую шихту сегнетокерамического м сериала получают следующим образом.

Предварительно известным в керамическом производстве образом изготавливают спеки .титаната бария, цирконата кальция и титаната строн-. ция, которые синтезируют при 12201300 С и затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см /r. Измельченные спеки и оксид цинка, .взя- тые в заданном соотношении, смешивают и измельчают в течение 1-2 ч до удельной поверхности 5000—

7000 см7г. Полученную таким образом шихту используют для получения диэлектрика конденсаторов по известной в керамическом конденсаторостроении технологии.