Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения Vg на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной Cнч и высокочастотный Cвч емкостей от напряжения смещения Vg, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Zс.лок, по измеренной зависимости Cвч от Vg определяют первую производную высокочастотной емкости по напряжению смещения при различных напряжениях смещения 
, устанавливают скорость изменения напряжения Vg, исключающую перезарядку локализованных электронных состояний и формирование канала инверсии в приграничной области полупроводника в области напряжений, соответствующих состоянию указанной области от обогащения до глубокого обеднения, и при этой скорости изменения Vg дополнительно измеряют зависимость высокочастотной емкости от подаваемого напряжения 
, а координату центроида локализованного заряда определяют из соотношения 
где d - толщина диэлектрика; q - заряд электрона; Nd(Vg) - концентрация легирующей примеси на границе области пространственного заряда, отвечающего напряжению Vg; 
5 - диэлектрическая постоянная полупроводника; Cох - емкость диэлектрика; S - площадь затвора.
Похожие патенты:
Изобретение относится к радиотехнике
Изобретение относится к электронной технике и может быт использовано для отбраковки потенциально ненадежных полупроводниковых структур на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых прноорэв н используется для ионной имплянтацни
Изобретение относится к контрольно-сортировочной технике в электронной промышленности и позволяет расширить технологические возможности за счет обеспечения контроля радиодеталей чечевичной формы с изменением положения их в пространстве при транспортировании
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушаюпего контроля состояния поверхности образцов, а именно для определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
