Способ отбраковки кристаллов соединений а2в6 и их твердых растворов для приборов с электронным возбуждением

 

Способ отбраковки кристаллов соединений группы A2B6 и их твердых растворов для приборов с электронным возбуждением, включающий возбуждение кристалла электронным пучком и измерение люминесценции, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности, ускорения и упрощения способа, возбуждение осуществляют электронным пучком в диапазоне плотностей энергий от 0,01 до 0,3 Дж/см2, регистрируют спектры импульсной катодолюминесценции в направлении под острым углом к нормали к поверхности кристалла при различных плотностях энергии электронного пучка, строят зависимость интенсивности катодолюминесценции при произвольно выбранной фиксированной длине волны из области спектра импульсной катодолюминесценции от плотности энергии электронного пучка, определяют пороговую плотность энергии электронного пучка, выше которой указанная зависимость перестает быть линейной, а отбраковку ведут по величине указанной пороговой плотности энергии электронного пучка.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Изобретение относится к радиотехнике, з частности к способам соединения полупроводниковых приборов с балочными пыводами

Изобретение относится к полупроводниковой технике

Изобретение относится к радиотехнике
Изобретение относится к электронной технике и может быт использовано для отбраковки потенциально ненадежных полупроводниковых структур на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых прноорэв н используется для ионной имплянтацни

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх