Способ контактирования контролируемого изделия и контрольного устройства

 

Изобретение относится к радиотехнике, з частности к способам соединения полупроводниковых приборов с балочными пыводами . Целью изобретения является расширение номенклатуры контролируемых изделий. В материалах описания представлены контролируемое изделие - полупроводниковый диод 1 и контрольное устройство - измерительная схема, которая состоит из диэлектрической подложки 2 и печатных проводников 3. Между проводниками образован зазор 4.куда устанавливают диод 1, балочные выводы 5 которого соединены с печатными проводниками измерительной схемы с помощью жидкого сплава 6 металлов Нанесение и удаление расплава выполняюi под флюсом из углеводородной меполярнпй жидкости 7 4 ил

СОЮЗ СОВЕТГКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<я)л Н 01 3 21/66

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРГТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

6 .3 (21) 4470433/21 (22) 08.08.88 (46) 15,03.91, Бюл. Р» 10 (72) С.В, Бугайцов и В.И. Криворучко (53) 62.396,049(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

М. 451222, кл. Н 05 К 7/12, 1972.

Пасынский А.Г Колло«дная химия. М„.

Высшая школа, 1959, с, 78. (54) СПОСОБ КОНТАКТИРОВАНИЯ КОНТРОЛИРУЕМОГО ИЗДЕЛИЯ И КОНТРОЛЬНОГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к радиотехнике, B частности к способам соединения полупроводниковых приборов с балочными oLI„„5 „„1635145 А1 водами. Целью изобретения является расширение номенклатуры контролируемых иэделий, В материалах описания представлены контролируемое изделие — полупроводн«ковый диод 1 и контрольное устройство — измерительная схема, которая состоит иэ диэлектрической подложки 2 и печатных проводников 3. Между проводникам«образован зазор 4 куда устанавливают диод i, балочные выводы 5 которого соединеньl с печатными проводниками измерительной схемы с помощь|о жидкого сплава 6 металлов. Нанесение и удаление расплава выполняю под флюсом иэ углеводородной неполярнпй жидкост« 7. 4 ил.

0с (д)

IV1 ! ЛЬ Ф

Ql ,>

1635145

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к способам соединения полупроводниковых приборов с балочными выводами, Цель изобретения — расширение номенклатуры контролируемых изделий, На фиг. 1 — фиг. 4 показана серия постадийных изображений предлагаемого способа.

На фиг, 1 — фиг. 4 изображены контролируемое изделие — полуп роводниковый диод 1 и контрольное устройство измерительная схема, которая состоит из диэлектрической подложки 2 и печатных проводников 3, между которыми образован зазор 4, куда устанавливают полупроводниковый прибор 1, балочные выводы 5 которого соединены с печатными проводниками измерительной схемы с помощью жидкого сплава 6 металлов. Нанесение и удаление расплава выполняют йод флюсом иэ углеводородной неполярной жидкости 7.

Способ осуществляют следующим образом.

Соединение и разъединение полупроводникового диода с балочными выводами с проводниками печатной схемы осуществляют следующим образом. На печатные проводники 3 измерительной схемы на расстоянии 2 — 5 мм от места предполагаемого монтажа диода наносят две капельки (у 6080 мкм) жидкого сплава металлов — индийгаллия. После этого в зазор 4 измерительной схемы устанавливают полупроводниковый диод с балочными выводами (фиг, 1). Затем с помощью иглы или волосяной кисточки смачивают капли жидкого сплава металлов зтиловым спиртом, Капли сворачиваются в шарики, которые накатывают на балочные выводы диода (фиг, 2). После испарения спирта капли жидкого сплава металлов теряют форму шариков, растекаясь,они смачивают балочнь>е в Ino1 ды прибора и печатные проводники измерительной схемы, обеспечивая хороший электрический контакт (фиг, 3).

Разьединение балочных выводов полу5 проводниковогоприбора и печатных проводников измерительной схемы осуществляют в обратном порядке, для чего смачивают спиртом капли индий-галлия на балочных выводах прибора. При этом капля сворачивается в ша10 рики, которые легко перемещают в сторону и удаляют из схемы с помощью иглы или волосяной кисточки (фиг. 4).

Таким образом осуществляют разъединение балочных выводов полупроводнико15 вого диода и печатных и роводников измерительной схемы.

Использование способа соединения и разъединения малоразмерных полупровод-. никовых приборов с балочными выводами

20 позволит быстро производить многократный, неразрушающий монтаж и демонтаж полупроводниковых приборов при сохранении неизменными НЧ- и СВЧ-параметров.

Формула изобретения

25 Способ контактирования контролируемого изделия и контрольного устройства, включающий нанесение расплава на контакты контрольного устройства, совмещение в пространстве контактов иэделия и

30 контрольного устройства и погружение контактов контролируемого иэделия в расплав, с последующим расчленением соединения, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью расширения номенкла1уры контролируе35 мых изделий совмещение, в пространстве

KolITBKToB изделия и контрольного устройства выполняют перед нанесением расплава на контакты, а перед расчленением соединения расплав удаляют, причем процесс на40 несения и удаления расплава выполняют под фл>ocoM иэ углеводородной неполярной быстроисп; ря>ощейся жидкости, например этилового спирта.

1635145

Составитель Н.Шмелев

Техред М.Моргентал Корректор О. Ципле

Редактор А.Ревин

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул Гагарина 101

Заказ 755 Тираж 367 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Способ контактирования контролируемого изделия и контрольного устройства Способ контактирования контролируемого изделия и контрольного устройства Способ контактирования контролируемого изделия и контрольного устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике

Изобретение относится к радиотехнике
Изобретение относится к электронной технике и может быт использовано для отбраковки потенциально ненадежных полупроводниковых структур на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых прноорэв н используется для ионной имплянтацни

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх