Способ получения монокристаллов на основе иттрий- алюминиевого граната
Способ получения монокристаллов на основе иттрий-алюминиевого граната, включающий выращивание вертикальной направленной кристаллизацией расплава с легирующей добавкой в молибденовом контейнере в атмосфере смеси аргона с водородом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода оптически однородных монокристаллов, пригодных для использования в качестве пассивных лазерных затворов с высокой апертурой, в качестве легирующей добавки берут хром с концентрацией не более 6 
1020 см-3 с магнием или кальцием с концентрацией не более 4 1020 см-3, а после выращивания их отжигают при 1000 - 1200oC в течение 20 - 55 ч.
Похожие патенты:
Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов
Магнитный монокристаллический материал // 1517384
Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить качество монокристаллов
Изобретение относится к способу получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната и позволяет увеличить выход монокристаллов диаметром до 80 мм за счет уменьшения длины конусной части до 5-15 мм
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов гадо лииий-гашшевого граната и позволяет увеличить выход годных монокристаллов диаметром 105-110 мм с апот-; ностью дефектов кристаллической структуры i7 см
Изобретение относится к квантовой электронике
Способ получения кристаллов селенида цинка // 1558041
Изобретение относится к лазерной технике , в частности к способам получения кристаллов для изготовления оптических элементов С02-лазеров, и может найти применение в химической промышленности при выращивании кристаллов селенида цинка
Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно органических кристаллов особо чистых веществ, и позволяет повысить сте пень чистоты кристаллов и увеличить производительность процесса
Способ получения кристаллов селенида цинка // 1468023
Изобретение относится к выращиванию (фисталпов и позволяет получить кристаллы диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 32 10 см на длине волны 10.6 мкм
Способ получения щелочногалоидных кристаллов // 1431392
Изобретение относится к техно-, логни получения материалов для изготовления оптических элементов ИК- техники и позволяет упростить способ получения кристаллов и удалить из камеры .токсичные и агрессивные гйзы Способ получения щелочногалоидных кристаллов включает нагрев Исходного сьфья в герметичной кймере под давлением инертного газа 1-2 атм до расплавления, снижение давления инертного газа до 0,01-0, 2 атм и выращи- ;йание кристалла
Изобретение относится к способам получения полупроводникового материала, может быть использовано в электронной технике, обеспечивает уменьшение плотности дислокаций, исключение двойников и упрощение способа
Способ получения сцинтилляционного материала // 1429601
Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного материала на основе щелочНо-галоидных монокристаллов , может быть использовано в химической промышленности и обеспечивает улучшение спектрометрических характеристик материала за счет снижения концентрации продуктов неполного сгорания органических примесей
Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений
Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод
Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
