Элементы (C30B29/02)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110)
C30B29 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C)
(1352)
C30B29/02 Элементы(26)
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в области получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений. Способ включает предварительную подготовку подложки 6, герметизацию установки для термовакуумного испарения, нагрев испаряемых материалов с обеспечением генерации направленного потока частиц и их конденсацию на подложку в вакууме, при этом нагрев тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений до температуры испарения осуществляют тепловой энергией твердофазной экзотермической реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза шихты 2, состоящей из смеси порошков тугоплавких металлов и углерода, размещённой в тигле 1, над которым расположена лодочка 3 с испаряемыми металлами или их соединениями 4.
Изобретение относится к области создания обработки материалов на основе 2D-структур, и в частности изобретение относится к области получения проводящих структур на основе графена на заданном носителе для электроники.
Способ получения двумерного материала // 2718927
Изобретение относится к получению двумерного кристаллического материала, такого как графен (варианты) или другого двумерного кристаллического материала, такого как силицен, а также получения множества выложенных в стопу слоев двумерного кристаллического материала, получения гетероструктуры, гетероструктурного материала, содержащих двумерный кристаллический материал.
Способ выращивания кристаллов фуллерена с60 // 2652204
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой оптоэлектронике. Навеску порошка исходного фуллерена С60 загружают в кварцевую ампулу, внутренняя поверхность которой покрыта пироуглеродом для защиты исходного порошка от воздействия УФ излучения.
Изобретение относится к области электронной техники для изготовления аксиальных цилиндрических изделий различных элементов силовых электрических приборов, в частности катодов термоэмиссионных преобразователей.
Изобретение относится к технологии получения тонких пленок графена, которые могут быть использованы в качестве прозрачного проводящего покрытия. Способ включает гетероэпитаксиальное выращивание тонкой пленки графена на тонкой пленке катализатора, нанесение покрытия на основе полимера на поверхность тонкой пленки графена, которая является противоположной относительно поверхности тонкой пленки катализатора, отверждение покрытия на основе полимера и отслаивание тонкой пленки графена и покрытия на основе полимера от тонкой пленки катализатора, при этом тонкую пленку катализатора располагают на несущей подложке, сформированной со стороны тонкой пленки катализатора, которая является противоположной относительно поверхности тонкой пленки графена, и между несущей подложкой и каталитической тонкой пленкой располагают тонкую пленку разделительного слоя из оксида цинка.
Изобретение относится к технологии осаждения на больших площадях тонких пленок графена, которые могут быть легированы, для использования их в качестве прозрачного проводящего покрытия. Согласно одному из вариантов промежуточную легированную тонкую пленку графена гетероэпитаксиально выращивают на тонкой пленке катализатора с моноориентированной крупнозернистой кристаллической структурой, расположенного на целевой приемной подложке, включающей твердотельные легирующие добавки, которые включены в нее посредством процесса плавления, после чего осуществляют легирование промежуточной тонкой пленки графена примесями n- или p-типа с обеспечением возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из целевой приемной подложки в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии.
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании монокристаллических дисков из тугоплавких металлов и сплавов на их основе методом бестигельной зонной плавки (БЗП) с электронно-лучевым нагревом.
Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы. .
Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники. .
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов. .
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла.
Способ получения наночастиц галлия // 2336371
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga. .
Способ рафинирования галлия // 2221066
Изобретение относится к способу очистки галлия методом направленной кристаллизации. .
Изобретение относится к области получения поликристаллических тел из газовой фазы и может быть использовано для получения изделий из металлов, в частности из кальция или магния, имеющих высокое давление паров.
Способ получения кристаллических фуллеренов // 2135648
Изобретение относится к полупроводниковой и сверхпроводниковой электронике, преимущественно к способам изготовления функциональных устройств на основе фуллеренов. .
Полупроводниковый материал // 1819922
Способ получения пленок теллура // 1767049
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов и может быть использовано при промышленном производстве кристаллов, находящих все более широкое применение в науке и технике. .
Способ выращивания металлических кристаллов // 1594220
Изобретение относится к выращиванию кристаллов в твердом состоянии методом пластической деформации - рекристаллизационного отжига. .
Изобретение относится к способам ожжижения и отверждения газов получения криокристаллов: AR, KR, XE, N 2, O 2, CO, CH 4, H 2, NE и др. .
Способ выращивания монокристаллов висмута // 1562364
Изобретение относится к способу получения монокристаллов висмута и может быть использовано в электронной промышленности для создания твердотельных электронных приборов. .
Изобретение относится к области низких температур, а именно к получению монокристаллических криокристаллов: ксенона, криптона, аргона, которые могут быть использованы как сцинтштляционные материалы, и обеспечивает/улучшение оптических свойств кристалла и возможность многократного исследования этих свойств.
Способ выращивания кристаллов алюминия // 1450428
Способ обработки стеклообразного селена // 1301878
Изобретение относится к способам обработки стеклообразного селена в процессе его получения или эксплуатации и хранения элементов, изготовленных из него. .
Способ травления кристаллов висмута // 1175977
