Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (C30B9)

Отслеживание патентов класса C30B9
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B9                 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B11; зонной плавкой C30B13; вытягиванием кристаллов C30B15; на погруженном затравочном кристалле C30B17; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев C30B19; под защитной жидкостью C30B27)(98)

Способ выращивания монокристаллов 57febo3 высокого структурного совершенства // 2740126
Изобретение относится к области получения монокристаллов 57FeBO3 высокого структурного совершенства для использования в качестве монохроматоров при проведении экспериментов по ядерно-резонансному рассеянию с использованием синхротронного излучения.

Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава // 2732513
Изобретение относится к технологии получения кристаллов из испаряющихся (летучих) растворов-расплавов. Кристалл K7CaNd2(B5O10)3 выращивают из испаряющегося раствор-расплава путем контроля степени пересыщения раствор-расплава, при этом сначала подготавливают поликристаллический образец K7CaNd2(B5O10)3, который для приготовления раствор-расплава смешивают с K2CO3, CaF2 и Н3ВО3, в молярном соотношении 1:6:6:12, нагревают до 900°С, далее охлаждают до температуры начала кристаллизации, после чего осуществляют контроль степени пересыщения раствор-расплава, повышая его температуру от начальной температуры кристаллизации со скоростью нагрева на 0,2-2°С/ч во время роста кристалла.

Устройство для измерения параметров кинетики кристаллизации // 2708934
Изобретение относится к исследованию фазовых изменений вещества и предназначено для измерения скорости роста кристаллов и скорости образования центров кристаллизации в процессе кристаллизации расплава или в процессе образования кристаллов из раствора.

Способ выращивания кристалла метабората бария β-bab2o4 (bbo) // 2705341
Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария ΒaΒ2O4 (ВВО), применяемых в лазерных системах.

Дихроичный материал - фторидоборат с "антицеолитной" структурой // 2689596
Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств. Дихроичный материал представляет собой фторидоборат с «антицеолитной» структурой с общей формулой ; при х=0, у=(0÷0.1) в виде каркаса [Ва12(ВО3)6]6+, сложенного чередующимися слоями (АВАВ) вдоль направления кристаллографической оси Z, содержащего изменяемые количества и тип гостевых анионных групп, образующийся в четверной системе Ва6(ВО3)4-Ва6(ВО3)3.6F1.2 - NaBa12(BO3)7F4- LiBa12(BO3)7F4, при этом А-слои «антицеолитной» структуры включают гостевые (ВО3)3- и (F2)2- группы, В-слои включают гостевые анионные группы (ВО3)3 и являются оптически-активными, в которых происходит статическое и динамическое разупорядочение гостевых анионных групп.

Способ выращивания кристалла трибората лития (варианты) // 2681641
Изобретение относится к области получения кристалла трибората лития LiB3O5 (LBO), являющегося высокоэффективным нелинейно-оптическим материалом, применяющимся для пассивного преобразования частоты лазерного излучения.

Способ получения mn-fe-содержащего спин-стекольного магнитного материала // 2676047
Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с получением нового магнитного материала с магнитным состоянием типа спинового стекла, и может найти применение при разработке моделей новых типов устройств современной электроники.

Способ получения оксиборатов cu2mn3+ 1-xgaxbo5 // 2646429
Изобретение относится к технологии получения новых магнитных материалов - оксиборатов Cu2Mn3+1-xGaxBO5 (0≤x<1), включающих ионы переходных металлов, которые могут найти применение в химической промышленности, развитии магнитных информационных технологий, создании магнитных датчиков.

Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения // 2630511
Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+x(ВО3)4-yF2+3y, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения.

Способ выращивания монокристаллической пленки febo3 на диамагнитной подложке // 2616668
Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований.

Материал для дихроичной поляризации света - кристалл liba12(bo3)7f4 // 2615691
Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков, устройств индикации, отображения и хранения информации, элементов памяти.

Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия ba2na3 (b3o6)2f // 2591156
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия Ba2Na3(В3О6)2F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике.
Способ выращивания монокристаллов натрий-висмутового молибдата // 2556114
Изобретение относится к области химической технологии выращивания кристаллов натрий-висмутового молибдата NaBi(MoO4)2 для исследования физических свойств и практического использования.

Способ регенерации калиевой селитры // 2555490
Изобретение относится к технологии дымного черного пороха и может быть использовано для регенерации калиевой селитры из сметок производства порохов с истекшим сроком хранения.
Способ выращивания монокристаллов рубидий-висмутового молибдата // 2542313
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов рубидий-висмутового молибдата RbBi(MoO4)2.

Способ выращивания монокристаллов калий-бариевого молибдата // 2540555
Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов калий-бариевого молибдата K2Ва(МоО4)2 из раствора-расплава K2Ва(МоО4)2 для исследования физических свойств и практического использования.

Способ синтеза монокристаллических тетрагональных теллуридов железа и теллуридов железа, легированных серой и/или селеном // 2538740
Изобретение относится к неорганической химии. Способ синтеза тетрагональных теллуридов железа и теллуридов железа, легированных селеном и/или серой, включает размещение в одном конце герметичной ампулы шихты из теллура, селена, серы и железа, заполнение ее смесью эвтектического состава из различных комбинаций хлоридов натрия, калия, рубидия и цезия, нагрев ампулы с градиентом температур от величины 600-790°С со стороны размещения шихты до температуры, уменьшенной на 30-100°С с противоположной стороны, в течение времени, обеспечивающего перенос шихты в противоположный конец ампулы.
Способ выращивания монокристаллов литий-висмутового молибдата // 2519428
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения объемных кристаллов состава Li8Bi2(MoO4)7.
Способ выращивания кристаллов сульфидных соединений на основе полуторных сульфидов редкоземельных элементов // 2495968
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов сульфидных соединений на основе полуторных сульфидов редкоземельных элементов (ПСРЗЭ), легированных оловом, в том числе и в виде высокотемпературной полиморфной γ-модификации (ВТПМ).

Способ выращивания кристалла методом киропулоса // 2494176
Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники.

Способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата // 2487968
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO 4)3.

Способ выращивания монокристаллов нитрида галлия // 2477766
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе.
Способ выращивания объемных монокристаллов александрита // 2471896
Изобретение относится к технологии получения объемных кристаллов александрита, которые могут быть использованы в качестве высококачественного сырья для изготовления оптических элементов лазерных систем.
Способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" // 2434081
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) типа «123», необходимых для проведения экспериментальных исследований фундаментальных свойств ВТСП, а также изготовления приборов и устройств сверхпроводниковой электроники.

Способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей // 2315134
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники.

Подложка для эпитаксии (варианты) // 2312176
Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств.

Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития // 2262556
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов, используемых в лазерной технике, в частности в преобразователях частоты лазерного излучения, и может быть использовано для получения нелинейно-оптического монокристалла трибората лития LiB3 О5 (LBO).

Устройство для выращивания монокристаллов сложных окислов // 2245945
Изобретение относится к технологиям производства объемных монокристаллов и может быть использовано при управляемом раствор-расплавном выращивании кристаллов веществ, например сложных окислов.

Способ исследования фазовых превращений // 2229702
Изобретение относится к исследованию фазовых превращений в раствор-расплавных средах, а именно, к способам определения температуры начала кристаллизации в раствор-расплаве (температуры ликвидус).

Способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4 // 2195520
Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе.
Способ получения высокотемпературных сверхпроводниковых соединений // 2182194
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники.

Способ гомогенизации раствор-расплавов или расплавов при выращивании монокристаллов // 2164561
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е.

Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления // 2163943
Изобретение относится к выращиванию кристаллов. .

Способ выращивания монокристалла -bab2o4 // 2139957
Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения.
Способ получения монокристаллов калий титанил арсената ktioaso4 // 2128734
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения.

Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10 // 2119976
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава.

Способ выращивания монокристаллов трибората лития // 2112820
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO). .

Нелинейно-оптический кристалл стронций бериллатоборат, способ выращивания нелинейно-оптических монокристаллов стронций бериллатобората и нелинейно-оптическое устройство // 2112089
Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству.

Способ получения сульфида цинка // 2094376
Изобретение относится к технологии неорганических веществ, в частности к способам получения сульфида цинка, используемого в качестве материала для полупроводниковой техники и оптоэлектроники.

Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе bi2sr2cacu2o8 // 2090665
Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности Bi2Sr2CaCu2O8 для использования в качестве активных элементов СВЧ- техники, работающих на основе эффекта Джозефсона.

Способ выращивания монокристаллов yba2cu3o7- // 2064023
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре.

Способ выращивания монокристаллов изумруда // 2061108
Изобретение относится к способам выращивания высокочистых монокристаллов изумруда флюсовым методом на затравку, используемым как для ювелирных целей, так и для создания твердотельных лазеров.

Кристалл двойного молибдата цинка в качестве сегнетоэластика // 2054497
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для создания управляемых функциональных устройств.

Высокотемпературный сверхпроводящий материал и способ его получения // 2051210
Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники.

Способ безтигельного получения монокристаллов yba2cu3o 7- // 2038430
Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников. .

Способ выращивания монокристаллов бората галлия gabo3 // 2019584
Изобретение относится к области управляемой раствор-расплавной кристаллизации и может найти применение при получении кристаллов GaBO3 в физическом эксперименте и оптоэлектронике.

Способ получения монокристаллов  // 2013474
Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов, в частности YBa2Cu3O7 - , которые могут быть использованы в электронной промышленности для изготовления приборов, работающих при температуре жидкого азота.
 
.
Наверх