В растворах или расплавах (C30B33/10)

Отслеживание патентов класса C30B33/10
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B33        Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5) (308)
C30B33/10                     В растворах или расплавах(23)

Способ производства подложки на основе карбида кремния и подложка карбида кремния // 2756815
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.

Электрохимический способ обработки монокристаллических кремниевых пластин для солнечных батарей // 2749534
Изобретение относится к области высокотемпературной электрохимии и может быть использовано при изготовлении солнечных батарей из кремниевых пластин, изготовленных по методу Чохральского.

Способ получения функционального трехмерного компонента оптоэлектронного прибора и функциональный трехмерный компонент оптоэлектронного прибора // 2731498
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может найти применение в промышленном производстве светоизлучающих устройств и фоточувствительных элементов.

Способ извлечения алмазов из матрицы инструмента // 2716692
Изобретение относится к технологии извлечения алмазов из алмазоносной матрицы инструмента. Способ включает растворение металла-связки электролитом с образованием шлама, содержащего частицы алмазов, отделение электролита от шлама и выделение алмазов, при этом растворение металла-связки осуществляют в растворе серной кислоты концентрацией 100-300 г/л с активирующими добавками: азотной кислотой или нитратом аммония, а выделение и классификацию алмазов осуществляют в восходящем потоке с переменным гидродинамическим режимом при линейной скорости в пределах 15-45 м/ч.

Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия // 2683103
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой.

Способ получения mn-fe-содержащего спин-стекольного магнитного материала // 2676047
Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с получением нового магнитного материала с магнитным состоянием типа спинового стекла, и может найти применение при разработке моделей новых типов устройств современной электроники.

Способ получения нанопорошков пористого кремния // 2652259
Изобретение относится к области получения наноматериалов, а именно нанопорошков кремния, и может быть использовано в стоматологии и биомедицине для получения фотолюминесцентных меток.

Состав полирующего травителя для химико-механической полировки теллурида кадмия-цинка // 2574459
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.

Способ получения гидрофобного или гидрофильного пористого кремния // 2555013
Изобретение относится к области химии, в частности к методикам наноструктурирования и модификации свойств поверхности.
Способ обработки оптических элементов из селенида цинка // 2338014
Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО 2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн.

Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия // 2319798
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников.
Способ полировки кристаллов хлорида серебра // 2311499
Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике.
Способ травления монокристаллов танталата лития // 2040601
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике.
Способ травления монокристаллов метаниобата лития // 2039134
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающему возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов метаниобата лития, используемых в электронной технике.

Способ предэпитаксиальной обработки подложек из оксидов // 2010044
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам обработки подложек из оксидов, в частности из фианита, и может быть использовано в производстве эпитаксиальных структур, преимущественно с соединениями ВТСП (высокотемпературных сверхпроводников).

Травитель для выявления структуры в оксиде алюминия // 1733517
Изобретение относится к исследованиям структурообразования керамики из оксида алюминия и может быть использовано в строительстве, машиностроении, приборостроении , химии при контроле качества изделий и изменения структурообразования в процессе их эксплуатации и обеспечивает ускорение процесса и более эффективное выявление зернистой, дендритной и сферолитной микроструктур.

Способ выявления дефектов структуры в монокристаллах германия // 1710605
Изобретение относится к области металлографических методов выявления дефектов структуры и может быть ис-'пользовано для контроля структурного совершенства монокристаллов германия.

Способ изготовления сфер из монокристаллических феррогранатов // 1536876
Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов.
Способ травления кристаллов кварца // 1476980
Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца. .

Способ локального химического травления монокристаллических пластин марганец-цинковых ферритов // 1382056
Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления.

 // 358871

 // 358287
 
.
Наверх